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MV20006	文件：154.63 Kbytes Page：2 Pages	GaAsVaractorDiodesAbruptJunction Description Microsemi’sGaAsabruptjunctionvaractorsarefabricatedfromepitaxiallayersgrownatMicrosemiusingChemicalVaporDeposition.ThelayersareprocessedusingproprietarytechniquesresultinginahighQfactorandveryrepeatabletuningcurves.Thediodesareavailableinavarie	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
PTB20006	文件：44.97 Kbytes Page：3 Pages	4Watts,860-900MHzCellularRadioRFPowerTransistor Description The20006isaclassAB,NPN,commonemitterRFpowertransistorintendedfor25Vdcoperationacrossthe860to900MHzfrequencyband.Ratedat4wattsminimumoutputpower,itmaybeusedforbothCWandPEPapplications.Ionimplantation,nitridesurfacepassivationandgoldmetal	EricssonEricsson Microelectronics 爱立信爱立信公司	Ericsson
T-20006	文件：33.96 Kbytes Page：1 Pages	SCRTriggerandControlTransformers	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND

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GaAsVaractorDiodesAbruptJunction

Description Microsemi’sGaAsabruptjunctionvaractorsarefabricatedfromepitaxiallayersgrownatMicrosemiusingChemicalVaporDeposition.ThelayersareprocessedusingproprietarytechniquesresultinginahighQfactorandveryrepeatabletuningcurves.Thediodesareavailableinavarie

MicrosemiMicrosemi Corporation

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4Watts,860-900MHzCellularRadioRFPowerTransistor

Description The20006isaclassAB,NPN,commonemitterRFpowertransistorintendedfor25Vdcoperationacrossthe860to900MHzfrequencyband.Ratedat4wattsminimumoutputpower,itmaybeusedforbothCWandPEPapplications.Ionimplantation,nitridesurfacepassivationandgoldmetal

EricssonEricsson Microelectronics

爱立信爱立信公司

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