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MV20003	文件：154.63 Kbytes Page：2 Pages	GaAsVaractorDiodesAbruptJunction Description Microsemi’sGaAsabruptjunctionvaractorsarefabricatedfromepitaxiallayersgrownatMicrosemiusingChemicalVaporDeposition.ThelayersareprocessedusingproprietarytechniquesresultinginahighQfactorandveryrepeatabletuningcurves.Thediodesareavailableinavarie	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
PTB20003	文件：54.46 Kbytes Page：3 Pages	4Watts,915-960MHzCellularRadioRFPowerTransistor Description The20003isaclassAB,NPN,commonemitterRFpowertransistorintendedfor25Vdcoperationacrossthe915to960MHzfrequencyband.Ratedat4Wattsminimumoutputpower,itmaybeusedforbothCWandPEPapplications.Ionimplantation,nitridesurfacepassivationandgoldmetal	EricssonEricsson Microelectronics 爱立信爱立信公司	Ericsson
STTH20003	文件：553.21 Kbytes Page：3 Pages	UltrafastRecoveryDiode FEATURES ·Ultrafast,softandnoise-freerecovery ·Combineshighestrecoveryandreverse voltageperformance ·lowinductanceandlowcapacitanceallow simplerlayout APPLICATIONS ·Freewheeling,Snubber,Clamp ·InversionWelder ·PFC ·PlatingPowerSupply	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STTH20003TV	文件：553.72 Kbytes Page：3 Pages	UltrafastRecoveryDiode FEATURES ·Ultrafast,softandnoise-freerecovery ·Combineshighestrecoveryandreverse voltageperformance ·lowinductanceandlowcapacitanceallow simplerlayout APPLICATIONS ·Freewheeling,Snubber,Clamp ·InversionWelder ·PFC ·PlatingPowerSupply	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STTH20003TV	文件：132.24 Kbytes Page：7 Pages	HIGHFREQUENCYSECONDARYRECTIFIER Description DualrectifierssuitedforSwitchModePowerSupplyandhighfrequencyDCtoDCconverters. PackagedinISOTOP™,thisdeviceisintendedforuseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheelingoperation,weldingequipmentandtelecompowersupplies. Featuresandbenefits ■	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
T-20003	文件：33.96 Kbytes Page：1 Pages	SCRTriggerandControlTransformers	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND

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