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MAX1951EVKIT	文件：102.23 Kbytes Page：3 Pages	NoExternalSchottkyDiodeRequired	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
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MDD1951RH	文件：353.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=17.9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=45mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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MDD1951RH	文件：988.39 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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MGF1951A	文件：145.22 Kbytes Page：5 Pages	MicrowavePowerMESFET	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi

详细参数

型号：
MAX1951ESA-T
功能描述：
直流/直流开关调节器
RoHS：
否
制造商：
International Rectifier
最大输入电压：
21 V
开关频率：
1.5 MHz
输出电压：
0.5 V to 0.86 V
输出电流：
4 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PQFN 4 x 5

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