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MAX1951ESA+	文件：380.07 Kbytes Page：15 Pages	1MHz,All-Ceramic,2.6Vto5.5VInput,2APWMStep-DownDC-to-DCRegulators GeneralDescription TheMAX1951/MAX1952high-efficiency,DC-to-DCstep-downswitchingregulatorsdeliverupto2Aofoutputcurrent.Thedevicesoperatefromaninputvoltagerangeof2.6Vto5.5Vandprovideanoutputvoltagefrom0.8VtoVIN,makingtheMAX1951/MAX1952idealforon-boardpostre	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX1951EVKIT	文件：102.23 Kbytes Page：3 Pages	NoExternalSchottkyDiodeRequired	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MDD1951	文件：929.24 Kbytes Page：6 Pages	SingleN-ChannelTrenchMOSFET60V,17.9A,45.0m(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDD1951RH	文件：929.24 Kbytes Page：6 Pages	SingleN-ChannelTrenchMOSFET60V,17.9A,45.0m(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDD1951RH	文件：988.39 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MDD1951RH	文件：353.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=17.9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=45mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDS1951	文件：813.35 Kbytes Page：6 Pages	SingleN-ChannelTrenchMOSFET60V,6A,45m(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDS1951URH	文件：813.35 Kbytes Page：6 Pages	SingleN-ChannelTrenchMOSFET60V,6A,45m(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDV1951B	文件：1.11876 Mbytes Page：6 Pages	SingleN-channelTrenchMOSFET60V,12A,45m(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDV1951BURH	文件：1.11876 Mbytes Page：6 Pages	SingleN-channelTrenchMOSFET60V,12A,45m(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MGF1951A	文件：145.22 Kbytes Page：5 Pages	MicrowavePowerMESFET	MitsubishiMITSUBISHI electlic 三菱电机	Mitsubishi
MGF1951A	文件：28.87 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerMicrowaveMESFET DESCRIPTION TheMGF1951Aisa20mWMESFETforS-toKu-banddriveramplifiersandoscillators. Itslead-lessceramicpackageassuresminimumparasitics. FEATURES •HighGainandHighOutputPowerGLP=9dB,P1dB=13dBm(typ)@f=12GHz •LeadlessCeramicPackage APPLICATION S-	MitsubishiMITSUBISHI electlic 三菱电机	Mitsubishi
NTE1951	文件：20.6 Kbytes Page：2 Pages	IntegratedCircuitPositive3TerminalVoltageRegulator,LowDropoutVoltage,5V,1A Description: TheNTE1951positivevoltageregulatorfeaturestheabilitytosource1Aofoutputcurrentwithadropoutvoltageoftypically0.5Vandamaximumof1Vovertheentiretemperaturerange.Furthermore,aquiescentcurrentreductioncircuithasbeenincludedwhichreducesthegroundc	NTE NTE Electronics, Inc	NTE
RL-1951	文件：1.15563 Mbytes Page：2 Pages	NATIONALSEMICONDUCTORSIMPLESWITCHERAPPLICATIONS	RENCORENCO ELECTRONICS 朗科电子集团	RENCO
TA1951A	文件：195.01 Kbytes Page：6 Pages	SAWFilter399.80MHz	GOLLEDGEGolledge Electronics Ltd 高利电子高利电子有限公司	GOLLEDGE
TA1951A	文件：272.11 Kbytes Page：7 Pages	SAWFilter399.8MHz	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
UP1951	文件：210.86 Kbytes Page：10 Pages	MultiplePhaseSynchronous-RectifiedBuckConverter	UPI uPI Semiconductor Corp	UPI
UP1951-MD	文件：207.84 Kbytes Page：10 Pages	MultiplePhaseSynchronous-RectifiedBuckConverter	UPI uPI Semiconductor Corp	UPI
UP1951PQDD	文件：210.86 Kbytes Page：10 Pages	MultiplePhaseSynchronous-RectifiedBuckConverter	UPI uPI Semiconductor Corp	UPI
UP1951PQDD-MD	文件：207.84 Kbytes Page：10 Pages	MultiplePhaseSynchronous-RectifiedBuckConverter	UPI uPI Semiconductor Corp	UPI

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产品属性

产品编号：
MAX1951ESA+W
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 稳压器 - DC-DC 开关稳压器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
功能：
降压
输出配置：
正
拓扑：
降压
输出类型：
可调式
输出数：
1
电压 - 输入（最小值）：
2.6V
电压 - 输入（最大值）：
5.5V
电压 - 输出（最小值/固定）：
0.8V
电压 - 输出（最大值）：
5.5V
电流 - 输出：
2A
频率 - 开关：
800kHz ~ 1.1MHz
同步整流器：
是
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC REG BUCK ADJUSTABLE 2A 8SOIC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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