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MJE182	文件：104.4 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJE182	文件：71.77 Kbytes Page：1 Pages	SILICONCOMPLEMENTRYPOWERTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MJE182G	文件：83.18 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors40??60??80VOLTS12.5WATTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE182G	文件：125.78 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors TheMJE170/180seriesisdesignedforlowpoweraudioamplifierandlowcurrent,highspeedswitchingapplications. Features •Collector−EmitterSustainingVoltage− VCEO(sus)=40Vdc−MJE170,MJE180 =60Vdc−MJE171,	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE182G	文件：144.78 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MPA-182	文件：212.06 Kbytes Page：1 Pages	L1PASSIVEGPSMICROSTRIPANTENNA Description Ourpatchantennaofferingsareperfectforprojectswithasmallerscopeandbudgetforwhichhigh-performanceandlowerweightisnotaprimaryfactorforconsiderationfortheantenna.Theyareidealforlessdemandingapplicationswhereextremeperformanceandbatterylifecanbe	MAXTENA Maxtena Inc.	MAXTENA
MRF182	文件：271.9 Kbytes Page：1 Pages	RFPOWERFETTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF182isanRFpowerfieldeffecttransistor,N-ChannelEnhancement-ModelateralMOSFET. FEATURESINCLUDE: •BradbandperformancefromHFto1GHz •Omnigold™MetalizationSystem •HighGain,Ruggeddevice.	ASI Advanced Semiconductor	ASI
MRF182	文件：133.23 Kbytes Page：8 Pages	LATERALN-CHANNELBROADBANDRFPOWERMOSFETs •HighGain,RuggedDevice •BroadbandPerformancefromHFto1GHz •BottomSideSourceEliminatesDCIsolators,ReducingCommonModeInductances	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MRF182S	文件：133.23 Kbytes Page：8 Pages	LATERALN-CHANNELBROADBANDRFPOWERMOSFETs •HighGain,RuggedDevice •BroadbandPerformancefromHFto1GHz •BottomSideSourceEliminatesDCIsolators,ReducingCommonModeInductances	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MSK182	文件：480.97 Kbytes Page：8 Pages	DUALHIGHVOLTAGE/HIGHCURRENTOPERATIONALAMPLIFIER DESCRIPTION: TheMSK182,183,184and185aredualhighpowermonolithicoperationalamplifiersidealforusewithawidevarietyofloads.Withoperationfromeithersingleordualsupplies,theyofferexcellentdesignflexibility.Powerdissipationiskepttoaminimumwithaquiescentcurrent	MSK M.S. Kennedy Corporation	MSK

详细参数

型号：
MAX182AEWI-T
功能描述：
模数转换器 - ADC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
2
结构：
Sigma-Delta
转换速率：
125 SPs to 8 KSPs
分辨率：
24 bit
输入类型：
Differential
信噪比：
107 dB
接口类型：
SPI
工作电源电压：
1.7 V to 3.6 V, 2.7 V to 5.25 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
VQFN-32

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