首页 >MAX1723EUK>规格书列表
| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION TheµPA1723isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementswitch. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.7mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) RDS(on)2=7.4mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=7.0A) RDS(on)3=8.7mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=7. | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.7mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) RDS(on)2=7.4mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=7.0A) RDS(on)3=8.7mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=7.0A) •LowCiss:Ciss=3800pFTYP. •Built-inG-Sprotectiondiode •Smallandsurfacemountpackage(PowerSOP | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.7mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) RDS(on)2=7.4mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=7.0A) RDS(on)3=8.7mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=7.0A) •LowCiss:Ciss=3800pFTYP. •Built-inG-Sprotectiondiode •Smallandsurfacemountpackage(PowerSOP | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION TheµPA1723isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementswitch. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.7mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) RDS(on)2=7.4mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=7.0A) RDS(on)3=8.7mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=7. | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|
