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MAX128BCNG	文件：124.61 Kbytes Page：16 Pages	Multirange,5V,12-BitDASwith2-WireSerialInterface GeneralDescription TheMAX127/MAX128aremultirange,12-bitdataacquisitionsystems(DAS)thatrequireonlyasingle+5Vsupplyforoperation,yetacceptsignalsattheiranaloginputsthatmayspanabovethepower-supplyrailandbelowground.Thesesystemsprovideeightanaloginputchannels	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX128BEAI	文件：124.61 Kbytes Page：16 Pages	Multirange,5V,12-BitDASwith2-WireSerialInterface GeneralDescription TheMAX127/MAX128aremultirange,12-bitdataacquisitionsystems(DAS)thatrequireonlyasingle+5Vsupplyforoperation,yetacceptsignalsattheiranaloginputsthatmayspanabovethepower-supplyrailandbelowground.Thesesystemsprovideeightanaloginputchannels	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX128BENG	文件：124.61 Kbytes Page：16 Pages	Multirange,5V,12-BitDASwith2-WireSerialInterface GeneralDescription TheMAX127/MAX128aremultirange,12-bitdataacquisitionsystems(DAS)thatrequireonlyasingle+5Vsupplyforoperation,yetacceptsignalsattheiranaloginputsthatmayspanabovethepower-supplyrailandbelowground.Thesesystemsprovideeightanaloginputchannels	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MDHU128	文件：172.27 Kbytes Page：7 Pages	2W,Ultra-HighIsolationDIP,Single&DualOutputDC/DCConverters	MINMAXMinmax Technology Co., Ltd. 捷拓科技台湾捷拓科技股份有限公司	MINMAX
MDHU128	文件：410.13 Kbytes Page：4 Pages	ReinforcedInsulationratedfor300VACWorkingVoltage	TOTAL-POWER Total Power International	TOTAL-POWER
MDHU128	文件：265.98 Kbytes Page：4 Pages	DC/DCCONVERTER2W,ReinforcedInslation,MedicalSafety	MINMAXMinmax Technology Co., Ltd. 捷拓科技台湾捷拓科技股份有限公司	MINMAX
MEGA128CAN	文件：5.48854 Mbytes Page：413 Pages	MicrocontrollerWITH128KBYTESOFISPFLASHANDCANCONTROLLER	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
MJD128	文件：75.86 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor ComplementaryDarlingtonPowerTransistor DPAKForSurfaceMountApplications Features Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. •MonolithicConstructionWithBuilt−inBase−EmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain−hFE=2500(Typ)@IC=4.0Adc •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD128	文件：245.58 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •HighDCCurrentGain-:hFE=1000(Min)@IC=-4A •Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=-120V(Min) •DPAKforSurfaceMountApplications •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforgeneralpurpo	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD128	文件：282.35 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·HighDCCurrentGain- :hFE=1000(Min)@IC=-4A ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=-120V(Min) APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamplifier andlowspeedswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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