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MID122	文件：223.27 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNDARLINGTONTRANSISTOR Description Designedforuseingeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications.	DCCOM Dc Components	DCCOM
MJD122	文件：137.52 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors Features •D-PAKforSurfaceMountApplications •HighDCCurrentGain •Built-inaDamperDiodeatE-C •LeadFormedforSurfaceMountApplications •ElectricallySimilartoPopularTIP122 •ComplementtoMJD127	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJD122	文件：81.7 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION TheMJD122andMJD127formcomplementaryNPN-PNPpair.TheyaremanufacturedusingEpitaxialBasetechnologyforcost-effectiveperformance. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPES ■LOWBASE-DRIVEREQUIREMENTS ■INTEGRATEDANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTERDIODE ■THROUGHHOLET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJD122	文件：284.04 Kbytes Page：8 Pages	SILICONPOWERTRANSISTORS8AMPERES100VOLTS20WATT Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“–1”Suffix) •LeadFormedVersionAvailablein16mmTapeandReel(“T4”Suffix) •Sur	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJD122	文件：284.04 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors Features •D-PAKforSurfaceMountApplications •HighDCCurrentGain •Built-inaDamperDiodeatE-C •LeadFormedforSurfaceMountApplications •ElectricallySimilartoPopularTIP122 •ComplementtoMJD127	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD122	文件：87.53 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD122	文件：232.98 Kbytes Page：9 Pages	LowvoltagepowerDarlingtontransistor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJD122	文件：277.83 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNepitaxialplanerTransistors Features •HighDCCurrentGain •Built-inaDamperDiodeatE-C •HalogenFreeAvailableUponRequestByAddingSuffix-HF •MoistureSensitivityLevel1 •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixDesignatesRoHS Compliant.SeeOrderingInfor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MJD122	文件：244.33 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNDARLINGTONTRANSISTOR Description Designedforuseingeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications.	DCCOM Dc Components	DCCOM
MJD122	文件：683.2 Kbytes Page：4 Pages	NPNPLASTICENCAPSULATETRANSISTORS Features: HighDCcurrentgain ElectricallysimilartopopularTIP122 *Built-inadamperdiodeatE-C	WEITRON Weitron Technology	WEITRON

详细参数

型号：
MAX122ACWG-T
功能描述：
模数转换器 - ADC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
2
结构：
Sigma-Delta
转换速率：
125 SPs to 8 KSPs
分辨率：
24 bit
输入类型：
Differential
信噪比：
107 dB
接口类型：
SPI
工作电源电压：
1.7 V to 3.6 V, 2.7 V to 5.25 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
VQFN-32

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