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MUR10010	文件：413.25 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MUR10010	文件：124.64 Kbytes Page：3 Pages	100AmpSupreFastRecoveryRectifier50to600Volts Features •HighSurgeCapability •LowLeakage •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •SupreFastswitchingforhighefficiency	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MUR10010CT	文件：620.3 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTRECTIFIERS ULTRAFASTSWITCHMODEPOWERRECTIFIER ...designedforuseinswitchingpowersupplies,inverters,andasfreewheelingdiodes.Thesestate-of-the-artdeviceshavethefollowingfeatures: ●DualDiodeConstruction ●LowLeakageCurrent ●LowForwardVoltage ●175°COperatingJunctionTemperatu	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MUR10010CT	文件：113.75 Kbytes Page：3 Pages	100AmpSupreFastRecoveryRectifier50to600Volts Features •HighSurgeCapability •LowLeakage •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •SupreFastswitchingforhighefficiency	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MUR10010CT	文件：138.8 Kbytes Page：2 Pages	SuperFastRecoveryDiode,100A Features •DualDiodeConstruction •LowLeakageCurrent •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecurrentcapability •SuperFastSwitching	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
MUR10010CT	文件：403.28 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS Features •HighSurgeCapability •Typesupto600VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MUR10010CT	文件：391.03 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode Features •HighSurgeCapability •Typesfrom50Vto200VVRRM •NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR10010CT	文件：693.08 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR10010CTR	文件：391.03 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode Features •HighSurgeCapability •Typesfrom50Vto200VVRRM •NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR10010CTR	文件：138.8 Kbytes Page：2 Pages	SuperFastRecoveryDiode,100A Features •DualDiodeConstruction •LowLeakageCurrent •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecurrentcapability •SuperFastSwitching	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA

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产品属性

产品编号：
MAT10010
制造商：
MACOM Technology Solutions
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 衰减器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
衰减值：
1dB
功率 (W)：
2W
封装/外壳：
模具
描述：
RF ATTENUATOR 1DB DIE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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