High power density 600 V half-bridge driver with two enhancement mode GaN power HEMTs

MASTERGAN5是一款先进的系统级功率封装，在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强型GaN功率晶体管。集成式功率GaN具有650 V漏极-源极阻断电压，以及450mΩ的导通电阻RDS(ON)，而嵌入式栅极驱动器的高边可以由集成的自举二极管轻松供电。\n\n MASTERGAN5在上下管部分均具有UVLO保护，可防止电源开关在低效率或危险条件下运行，并且互锁功能可避免交叉传导情况。\n\n 输入引脚的扩展范围可与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器轻松连接。\n\n MASTERGAN5的工作温度范围为-40°C至125°C。\n\n 该器件采用紧凑型9x9 mm QFN封装。 • 集成了半桥栅极驱动器的高压600 V系统级封装GaN功率晶体管： \n •QFN 9 x 9 x 1 mm 封装 \n •RDS(ON) = 450 mΩ \n •IDS(MAX) = 4 A \n• 反向电流能力 \n• 零反向恢复损耗 \n• 低侧和高侧UVLO保护 \n• 集成自举二极管 \n• 互锁功能 \n• 关闭功能专用引脚• 准确的内部定时匹配 \n• 具有滞回和下拉功能的3.3 V至15 V兼容输入 \n• 超温保护 \n• 减少物料单 \n• 非常紧凑且简便的布局 \n• 灵活快捷的设计。;

ST

意法半导体

Package：31-VQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 全半桥驱动器 描述：HIGH POWER DENSITY 600 V HALF-BR

STMICROELECTRONICS

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