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MBR5H60AFC-AU	文件：168.08 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountUltraLowIRSchottkyBarrierRectifier Features Lowleakagecurrent Idealforautomatedplacement Lowpowerloss,highefficiency Highsurgecurrentcapability AEC-Q101qualified LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MBR5H60PC-AU	文件：255.38 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountUltraLowIRSchottkyBarrierRectifier Features Lowleakagecurrent Dealforautomatedplacement Lowpowerloss,highefficiency Highsurgecurrentcapability AEC-Q101qualified LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
STGB5H60DF	文件：872.71 Kbytes Page：30 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,Hseries600V,5Ahighspeed Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfield-stop structure.ThedevicesarepartoftheHseriesof IGBTs,whichrepresentanoptimumcompromise betweenconductionandswitchinglossesto maximizetheefficiencyofhighswitching frequen	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGD5H60DF	文件：342.54 Kbytes Page：2 Pages	TrenchField-stopIGBT DESCRIPTION ·Highruggedness,temperaturestablebehavior ·VerylowVCEsat ·Verytightparameterdistribution ·Tightparameterdistribution APPLICATIONS ·Inductioncooker ·Microwaveovens	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STGD5H60DF	文件：872.71 Kbytes Page：30 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,Hseries600V,5Ahighspeed Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfield-stop structure.ThedevicesarepartoftheHseriesof IGBTs,whichrepresentanoptimumcompromise betweenconductionandswitchinglossesto maximizetheefficiencyofhighswitching frequen	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGF5H60DF	文件：872.71 Kbytes Page：30 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,Hseries600V,5Ahighspeed Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfield-stop structure.ThedevicesarepartoftheHseriesof IGBTs,whichrepresentanoptimumcompromise betweenconductionandswitchinglossesto maximizetheefficiencyofhighswitching frequen	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGP5H60DF	文件：872.71 Kbytes Page：30 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,Hseries600V,5Ahighspeed Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfield-stop structure.ThedevicesarepartoftheHseriesof IGBTs,whichrepresentanoptimumcompromise betweenconductionandswitchinglossesto maximizetheefficiencyofhighswitching frequen	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
MAN5H60
制造商：
onsemi
类别：
光电器件 > 显示器模块 - LED 字符与数字
包装：
管件
字符数：
1
大小 / 尺寸：
0.689" 高 x 0.482" 宽 x 0.276" 直径（17.50mm x 12.25mm x 7.00mm）
数字/字母大小：
0.51"（13.00mm）
显示类型：
7 段
通用引脚：
共阴极
颜色：
红色
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
2.05V
电流 - 测试：
20mA
毫烛光等级：
7.8mcd
波长 - 峰值：
632nm
功率耗散（最大值）：
60mW
封装/外壳：
10-DIP（0.600"，15.24mm）
描述：
DISPLAY 7SEG 0.51\

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