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PBHV8110DH	文件：383.14 Kbytes Page：6 Pages	NPNLowVce(sat)Transistor Features SiliconNPNepitaxialtype LowVce(sat)0.35V(max)@Ic/Ib=500mA/50mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249Standard PNPcomplement:PBHV9110DH	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PBHV8110DH-AU	文件：383.57 Kbytes Page：6 Pages	NPNLowVce(sat)Transistor Features SiliconNPNepitaxialtype LowVce(sat)0.35V(max)@Ic/Ib=500mA/50mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics AEC-Q101qualified LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249Standard PNPcomple	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PBHV8110DW	文件：387.22 Kbytes Page：6 Pages	NPNLowVce(sat)Transistor Features SiliconNPNepitaxialtype LowVce(sat)0.35V(max)@Ic/Ib=500mA/50mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249Standard PNPcomplement:PBHV9110DW	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PBHV8110DW-AU	文件：387.78 Kbytes Page：6 Pages	NPNLowVce(sat)Transistor Features SiliconNPNepitaxialtype LowVce(sat)0.35V(max)@Ic/Ib=500mA/50mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics AEC-Q101qualified LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249Standard PNPcomple	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PBSS8110D	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS8110D	文件：97.81 Kbytes Page：12 Pages	100V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaplasticSOT457(SC-74)package. Features ■SOT457package ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Highefficiency,leadingtolessheatgeneration. Applications ■Majorapplication	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS8110D	文件：286.32 Kbytes Page：13 Pages	100V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Features SOT457package Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highefficiency,leadingtolessheatgeneration	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS8110S	文件：54.37 Kbytes Page：7 Pages	100V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION NPNlowVCEsatBISStransistorinaSOT54plasticpackage. FEATURES •SOT54package •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration. APPLICATIONS •Automotive42Vpower •Tel	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS8110T	文件：133.67 Kbytes Page：12 Pages	100V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage. PNPcomplement:PBSS9110T. FEATURES •SOT23package •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circ	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS8110T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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