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MBR3100	文件：98.57 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	CTC ctconline	CTC
MBR3100	文件：306.6 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEPOWERSCHOTTKYRECTIFIER Description TheMBR3100isahighvoltageSchottkyrectifiersuitedforswitchmodepowersuppliesandotherpowerconverters.Thisdeviceisintendedforuseinmediumvoltageoperation,andparticularly,inhighfrequencycircuitswherelowswitchinglossesandlownoisearerequired. TheMBR3	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MBR3100	文件：166.64 Kbytes Page：5 Pages	AxialLeadRectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlap contact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage, high−frequencyinverters,freewheel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR3100DS	文件：477.48 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierRectifier	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MBR3100F	文件：483.58 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERREVERSEVOLTAGE20VTO200VFORWARDCURRENT3.0A DESCRIPTION The MBR320F~MBR3200Fareavailablein SOD123FLPackage FEATURES PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V 0 Lowpowerloss,highefficiency Foruseinlowvoltagehighfrequencyinverters, freewheeling,andpolarityprotecti	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
MBR3100G	文件：58.31 Kbytes Page：4 Pages	AxialLeadRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR3100G	文件：166.64 Kbytes Page：5 Pages	AxialLeadRectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlap contact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage, high−frequencyinverters,freewheel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR3100G-SMA-R	文件：119.52 Kbytes Page：3 Pages	HighSurgeCapability DESCRIPTION TheUTCMBR3100isa3.0Aschottkybarrierrectifier,itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidethecustomerswithhighsurgecapability,highefficiency,highcurrentcapability,lowpowerlossandlowforwardvoltagedrop,etc. TheUTCMBR3100issuitableforfreewheelingandp	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MBR3100L-SMA-R	文件：119.52 Kbytes Page：3 Pages	HighSurgeCapability DESCRIPTION TheUTCMBR3100isa3.0Aschottkybarrierrectifier,itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidethecustomerswithhighsurgecapability,highefficiency,highcurrentcapability,lowpowerlossandlowforwardvoltagedrop,etc. TheUTCMBR3100issuitableforfreewheelingandp	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MBR3100RL	文件：53.68 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER3.0AMPERES100VOLTS AxialLeadRectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage,high−frequencyinv	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
MA3100-L
制造商：
PANASONIC
制造商全称：
Panasonic Semiconductor
功能描述：
Silicon planar type

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更多MA3100-L供应商更新时间2025-5-18 16:00:00

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