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BSS83	文件：328.19 Kbytes Page：6 Pages	Marking：M74；Package：SOT143B；MOSFET N-channel enhancement switching transistor DESCRIPTION Symmetricalinsulated-gatesiliconMOSfield-effecttransistoroftheN-channelenhancementmodetype.ThetransistorissealedinaSOT143envelopeandfeaturesalowONresistanceandlowcapacitances.Thetransistorisprotectedagainstexcessiveinputvoltagesbyintegratedback-t	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
CAV93C76YE-GT3	文件：286.13 Kbytes Page：11 Pages	Marking：M76D；Package：TSSOP-8；EEPROM Serial 8-Kb Microwire - Automotive Grade 1 Description TheCAV93C76isanEEPROMSerial8−KbMicrowire AutomotiveGrade1device,whichisconfiguredaseitherregistersof 16bits(ORGpinatVCCorNotConnected)or8bits(ORGpinat GND).Eachregistercanbewritten(orread)seriallybyusingtheDI (orDO)pin.TheCAV93C76is	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DMTH46M7SFVWQ-13	文件：678.23 Kbytes Page：7 Pages	Marking：M7S；Package：PowerDI3333-8；40V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DescriptionandApplications ThisMOSFETisdesignedtomeetthestringentrequirementsof automotiveapplications.ItisqualifiedtoAEC-Q101,supportedbya PPAPandisidealforusein: Motorcontrols Powermanagementfunctions DC-DCconverters FeaturesandBenefits Ratedto+175°C	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMTH46M7SFVWQ-7	文件：678.23 Kbytes Page：7 Pages	Marking：M7S；Package：PowerDI3333-8；40V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DescriptionandApplications ThisMOSFETisdesignedtomeetthestringentrequirementsof automotiveapplications.ItisqualifiedtoAEC-Q101,supportedbya PPAPandisidealforusein: Motorcontrols Powermanagementfunctions DC-DCconverters FeaturesandBenefits Ratedto+175°C	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
M7F	文件：2.41915 Mbytes Page：3 Pages	Marking：M7F；Package：SMAF；Surface Mount General Purpose Rectifier M1F Through M7F Features Lowprofilepackage Idealforautomatedplacement Glasspassivatedchipjunction Highforwardsurgecapability MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
MMBT2907A	文件：874.89 Kbytes Page：5 Pages	Marking：M7A；Package：SOT-23；PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR VOLTAGE60VoltsPOWER225mW FEATURES PNPepitaxialsilicon,planardesign Collector-emittervoltageVCE=-60V CollectorcurrentIC=-600mA Pbfreeproductareavailable:99SnabovecanmeetRoHS environmentsubstancedirectiverequest	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
NBM7100ABQ	文件：1.4526 Mbytes Page：56 Pages	Marking：M7100A；Coin cell battery life booster with adaptive power optimization Generaldescription TheNBM7100A/Bisabatteryenergymanagement devicedesignedtomaximizeusablecapacityfrom non-rechargeable,primarybatterieswhenusedinlowvoltage,low-powerapplicationsrequiringburstcurrent loads.Thedevicesovercomevoltagedropandbattery lifelimitations	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NBM7100ABQ-Q100	文件：1.45842 Mbytes Page：56 Pages	Marking：M7100A；Package：DHVQFN16；Coin cell battery life booster with adaptive power optimization 1.Generaldescription TheNBM7100A/B-Q100isabatteryenergy managementdevicedesignedtomaximizeusable capacityfromnon-rechargeable,primarybatteries whenusedinlow-voltage,low-powerapplications requiringburstcurrentloads.Thedevicesovercome voltagedropandbatterylifeli	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NBM7100BBQ	文件：1.4526 Mbytes Page：56 Pages	Marking：M7100B；Coin cell battery life booster with adaptive power optimization Generaldescription TheNBM7100A/Bisabatteryenergymanagement devicedesignedtomaximizeusablecapacityfrom non-rechargeable,primarybatterieswhenusedinlowvoltage,low-powerapplicationsrequiringburstcurrent loads.Thedevicesovercomevoltagedropandbattery lifelimitations	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NBM7100BBQ-Q100	文件：1.45842 Mbytes Page：56 Pages	Marking：M7100B；Package：SOT763-1；Coin cell battery life booster with adaptive power optimization 1.Generaldescription TheNBM7100A/B-Q100isabatteryenergy managementdevicedesignedtomaximizeusable capacityfromnon-rechargeable,primarybatteries whenusedinlow-voltage,low-powerapplications requiringburstcurrentloads.Thedevicesovercome voltagedropandbatterylifeli	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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产品属性

产品编号：
M7
制造商：
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
管件
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
6pF @ 4V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AC，SMA
供应商器件封装：
DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星宇佳科技有限公司	M7	XY/星宇佳	20+	SMA	218900		询价
深圳市亿顺芯科技有限公司	M7	VISHAY/威世	20+原装正品	SMA	6000	大量现货,免费发样。	询价
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深圳市坤融电子科技有限公司	m7	DEC	24+	DO-214A	30000	只做原厂渠道可追溯货源	询价
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更多M7供应商更新时间2025-5-29 17:30:00

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