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M58BW016DT8ZA3FT	文件：1.35281 Mbytes Page：70 Pages	16 Mbit (512 Kbit x 32, boot block, burst) 3 V supply Flash memories Description The M58BW016DT, M58BW016DB, M58BW016FT and M58BW016FB are 16-Mbit nonvolatile Flash memories that can be erased electrically at the block level and programmed in-system on a double-word basis using a 2.7 V to 3.6 V VDD supply for the circuit and a VDDQ supply down to 2.4 V for the inp 文件：1.35281 Mbytes 页数：70 Pages	NUMONYX	NUMONYX
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更多M58BW016DT8ZA3FT供应商更新时间2026-10-10 14:10:00