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M58BW016FB7T3T	文件：1.28397 Mbytes Page：70 Pages	16 Mbit (512 Kbit x 32, boot block, burst) Description TheM58BW016DT,M58BW016DB,M58BW016FTandM58BW016FBare16-MbitnonvolatileFlashmemoriesthatcanbeerasedelectricallyattheblocklevelandprogrammedin-systemonadouble-wordbasisusinga2.7Vto3.6VVDDsupplyforthecircuitandaVDDQsupplydownto2.4Vfortheinp	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
M58BW016FB7T3T TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：80-BQFP 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 16MBIT 70NS 80PQFP	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
M58BW016FB7T3FF	文件：1.35281 Mbytes Page：70 Pages	16Mbit(512Kbitx32,bootblock,burst)3VsupplyFlashmemories Description TheM58BW016DT,M58BW016DB,M58BW016FTandM58BW016FBare16-MbitnonvolatileFlashmemoriesthatcanbeerasedelectricallyattheblocklevelandprogrammedin-systemonadouble-wordbasisusinga2.7Vto3.6VVDDsupplyforthecircuitandaVDDQsupplydownto2.4Vfortheinp	NUMONYXNUMONYX 恒忆	NUMONYX
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详细参数

型号：
M58BW016FB7T3T
功能描述：
IC FLASH 16MBIT 70NS 80PQFP
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
产品变化通告：
Product Discontinuation 26/Apr/2010
标准包装：
136
系列：
- 格式 -
存储器：
RAM
存储器类型：
SRAM - 同步，DDR II
存储容量：
18M（1M x 18）
速度：
200MHz
接口：
并联
电源电压：
1.7 V ~ 1.9 V
工作温度：
0°C ~ 70°C
封装/外壳：
165-TBGA
供应商设备封装：
165-CABGA（13x15）
包装：
托盘
其它名称：
71P71804S200BQ

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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