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M470T6554BZ3-LD5/CC	文件：328.21 Kbytes Page：19 Pages	200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC Features • Performance range • JEDEC standard 1.8V ± 0.1V Power Supply • VDDQ = 1.8V ± 0.1V • 200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin • 4 Banks • Posted CAS • Programmable CAS Latency: 3, 4, 5 • Programmable Additive Latency: 0, 1 , 2 , 3 and 4 • Write Latency(WL) = Re 文件：328.21 Kbytes 页数：19 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
M470T6554BZ3-LD5SLASHCC	文件：328.21 Kbytes Page：19 Pages	200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC Features • Performance range • JEDEC standard 1.8V ± 0.1V Power Supply • VDDQ = 1.8V ± 0.1V • 200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin • 4 Banks • Posted CAS • Programmable CAS Latency: 3, 4, 5 • Programmable Additive Latency: 0, 1 , 2 , 3 and 4 • Write Latency(WL) = Re 文件：328.21 Kbytes 页数：19 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
M470T6554CZ0	文件：270.33 Kbytes Page：20 Pages	DDR2 Unbuffered SODIMM Features • Performance range • JEDEC standard 1.8V ± 0.1V Power Supply • VDDQ = 1.8V ± 0.1V • 200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin, 333MHz fCK for 667Mb/sec/pin, 400MHz fCK for 800Mb/sec/pin • 4 Banks • Posted CAS • Programmable CAS Latency: 3, 4, 5 • Programmable Ad 文件：270.33 Kbytes 页数：20 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
M470T6554CZ0-CC	文件：270.33 Kbytes Page：20 Pages	DDR2 Unbuffered SODIMM Features • Performance range • JEDEC standard 1.8V ± 0.1V Power Supply • VDDQ = 1.8V ± 0.1V • 200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin, 333MHz fCK for 667Mb/sec/pin, 400MHz fCK for 800Mb/sec/pin • 4 Banks • Posted CAS • Programmable CAS Latency: 3, 4, 5 • Programmable Ad 文件：270.33 Kbytes 页数：20 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
M470T6554CZ0-CCC	文件：328.84 Kbytes Page：18 Pages	DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC Features • Performance range • JEDEC standard 1.8V ± 0.1V Power Supply • VDDQ = 1.8V ± 0.1V • 200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin, 333MHz fCK for 667Mb/sec/pin, 400MHz fCK for 800Mb/sec/pin • 4 Banks • Posted CAS • Programmable CAS Latency: 3, 4, 5 • Programmable Ad 文件：328.84 Kbytes 页数：18 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
M470T6554CZ0-CD5	文件：328.84 Kbytes Page：18 Pages	DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC Features • Performance range • JEDEC standard 1.8V ± 0.1V Power Supply • VDDQ = 1.8V ± 0.1V • 200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin, 333MHz fCK for 667Mb/sec/pin, 400MHz fCK for 800Mb/sec/pin • 4 Banks • Posted CAS • Programmable CAS Latency: 3, 4, 5 • Programmable Ad 文件：328.84 Kbytes 页数：18 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
M470T6554CZ0-CD6	文件：270.33 Kbytes Page：20 Pages	DDR2 Unbuffered SODIMM Features • Performance range • JEDEC standard 1.8V ± 0.1V Power Supply • VDDQ = 1.8V ± 0.1V • 200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin, 333MHz fCK for 667Mb/sec/pin, 400MHz fCK for 800Mb/sec/pin • 4 Banks • Posted CAS • Programmable CAS Latency: 3, 4, 5 • Programmable Ad 文件：270.33 Kbytes 页数：20 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
M470T6554CZ0-CE6	文件：328.84 Kbytes Page：18 Pages	DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC Features • Performance range • JEDEC standard 1.8V ± 0.1V Power Supply • VDDQ = 1.8V ± 0.1V • 200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin, 333MHz fCK for 667Mb/sec/pin, 400MHz fCK for 800Mb/sec/pin • 4 Banks • Posted CAS • Programmable CAS Latency: 3, 4, 5 • Programmable Ad 文件：328.84 Kbytes 页数：18 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
M470T6554CZ0-CE7	文件：328.84 Kbytes Page：18 Pages	DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC Features • Performance range • JEDEC standard 1.8V ± 0.1V Power Supply • VDDQ = 1.8V ± 0.1V • 200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin, 333MHz fCK for 667Mb/sec/pin, 400MHz fCK for 800Mb/sec/pin • 4 Banks • Posted CAS • Programmable CAS Latency: 3, 4, 5 • Programmable Ad 文件：328.84 Kbytes 页数：18 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
M470T6554CZ0-CLCC	文件：328.84 Kbytes Page：18 Pages	DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC Features • Performance range • JEDEC standard 1.8V ± 0.1V Power Supply • VDDQ = 1.8V ± 0.1V • 200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin, 333MHz fCK for 667Mb/sec/pin, 400MHz fCK for 800Mb/sec/pin • 4 Banks • Posted CAS • Programmable CAS Latency: 3, 4, 5 • Programmable Ad 文件：328.84 Kbytes 页数：18 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG

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详细参数

型号：
M470
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
512MB Unbuffered SODIMM(based on sTSOP)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	M470L6524BT0-CB3	SAMSUNG/MICRON	23+	MODULE	13000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
上海金庆电子技术有限公司	M470L6524CU0-CB3	SAMSUNG	2004+		5	全新发货1-2天	询价
深圳市一线半导体有限公司	M470L6524DU0CB3	SAM	24+		300		询价
深圳市威雅利发展有限公司	M470L6524DU0-CB3	SAMSUNG	25+	TSSOP-14	2	原厂原包装,终端BOM表可配单	询价
深圳市创新迹电子有限公司	M470T2864EH3CE600A	SAMSUNG/三星	22+	N/A	20000	公司只有原装品质保障	询价
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深圳市振宏微科技有限公司	M470T2864QZ3-CE6	SAMSUNG	25+	NA	639	专做原装正品,假一罚百!	询价
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