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M470T6554CZ0-CE6

DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC

Features •Performancerange •JEDECstandard1.8V±0.1VPowerSupply •VDDQ=1.8V±0.1V •200MHzfCKfor400Mb/sec/pin,267MHzfCKfor533Mb/sec/pin,333MHzfCKfor667Mb/sec/pin,400MHzfCKfor800Mb/sec/pin •4Banks •PostedCAS •ProgrammableCASLatency:3,4,5 •ProgrammableAd

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半导体

Samsung

M471A1K43CB1-CTD

SAMSUNG/三星
SSD

SAMSUNG/三星

上传:深圳庞田科技有限公司

SAMSUNG/三星

M471A1K43DB1-CWE

SAMSUNG
BGA

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半导体

上传:深圳市虞达美电子有限公司

Samsung

M471A2K43CB1-CRC

SAMSUNG/三星
SSD

SAMSUNG/三星

上传:深圳庞田科技有限公司

SAMSUNG/三星

M471A5244CB0-CTD

SAMSUNG/三星
SSD

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SAMSUNG/三星

详细参数

  • 型号:

    M470T6554CZ0-CE6

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全称:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多M470T6554CZ0-CE6供应商 更新时间2025-8-3 15:08:00