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M45PE40-VMW6G	文件：536.24 Kbytes Page：35 Pages	4 Mbit, Low Voltage, Page-Erasable Serial Flash Memory With Byte-Alterability and a 33 MHz SPI Bus Interface SUMMARYDESCRIPTION TheM45PE40isa4Mbit(512Kx8bit)SerialPagedFlashMemoryaccessedbyahighspeedSPI-compatiblebus. Thememorycanbewrittenorprogrammed1to256bytesatatime,usingthePageWriteorPagePrograminstruction.ThePageWriteinstructionconsistsofanintegrate	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
M45PE40-VMW6G	文件：886.61 Kbytes Page：46 Pages	4 Mbit, low voltage, Page-Erasable Serial Flash memory with byte-alterability and a 50 MHz SPI bus interface Description TheM45PE40isa4Mbit(512Kx8bit)SerialPagedFlashMemoryaccessedbyahighspeedSPI-compatiblebus.Thememorycanbewrittenorprogrammed1to256bytesatatime,usingthePageWriteorPagePrograminstruction.ThePageWriteinstructionconsistsofanintegratedPag	NUMONYXNUMONYX 恒忆
M45PE40-VMW6G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 4MBIT SPI 75MHZ 8SO W	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司
M45PE40-VMW6	文件：536.24 Kbytes Page：35 Pages	4Mbit,LowVoltage,Page-ErasableSerialFlashMemoryWithByte-Alterabilityanda33MHzSPIBusInterface SUMMARYDESCRIPTION TheM45PE40isa4Mbit(512Kx8bit)SerialPagedFlashMemoryaccessedbyahighspeedSPI-compatiblebus. Thememorycanbewrittenorprogrammed1to256bytesatatime,usingthePageWriteorPagePrograminstruction.ThePageWriteinstructionconsistsofanintegrate	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
M45PE40-VMW6P	文件：886.61 Kbytes Page：46 Pages	4Mbit,lowvoltage,Page-ErasableSerialFlashmemorywithbyte-alterabilityanda50MHzSPIbusinterface Description TheM45PE40isa4Mbit(512Kx8bit)SerialPagedFlashMemoryaccessedbyahighspeedSPI-compatiblebus.Thememorycanbewrittenorprogrammed1to256bytesatatime,usingthePageWriteorPagePrograminstruction.ThePageWriteinstructionconsistsofanintegratedPag	NUMONYXNUMONYX 恒忆
M45PE40-VMW6P	文件：536.24 Kbytes Page：35 Pages	4Mbit,LowVoltage,Page-ErasableSerialFlashMemoryWithByte-Alterabilityanda33MHzSPIBusInterface SUMMARYDESCRIPTION TheM45PE40isa4Mbit(512Kx8bit)SerialPagedFlashMemoryaccessedbyahighspeedSPI-compatiblebus. Thememorycanbewrittenorprogrammed1to256bytesatatime,usingthePageWriteorPagePrograminstruction.ThePageWriteinstructionconsistsofanintegrate	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
M45PE40-VMW6T	文件：536.24 Kbytes Page：35 Pages	4Mbit,LowVoltage,Page-ErasableSerialFlashMemoryWithByte-Alterabilityanda33MHzSPIBusInterface SUMMARYDESCRIPTION TheM45PE40isa4Mbit(512Kx8bit)SerialPagedFlashMemoryaccessedbyahighspeedSPI-compatiblebus. Thememorycanbewrittenorprogrammed1to256bytesatatime,usingthePageWriteorPagePrograminstruction.ThePageWriteinstructionconsistsofanintegrate	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
M45PE40-VMW6TG	文件：886.61 Kbytes Page：46 Pages	4Mbit,lowvoltage,Page-ErasableSerialFlashmemorywithbyte-alterabilityanda50MHzSPIbusinterface Description TheM45PE40isa4Mbit(512Kx8bit)SerialPagedFlashMemoryaccessedbyahighspeedSPI-compatiblebus.Thememorycanbewrittenorprogrammed1to256bytesatatime,usingthePageWriteorPagePrograminstruction.ThePageWriteinstructionconsistsofanintegratedPag	NUMONYXNUMONYX 恒忆
M45PE40-VMW6TG	文件：536.24 Kbytes Page：35 Pages	4Mbit,LowVoltage,Page-ErasableSerialFlashMemoryWithByte-Alterabilityanda33MHzSPIBusInterface SUMMARYDESCRIPTION TheM45PE40isa4Mbit(512Kx8bit)SerialPagedFlashMemoryaccessedbyahighspeedSPI-compatiblebus. Thememorycanbewrittenorprogrammed1to256bytesatatime,usingthePageWriteorPagePrograminstruction.ThePageWriteinstructionconsistsofanintegrate	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
M45PE40-VMW6TP	文件：536.24 Kbytes Page：35 Pages	4Mbit,LowVoltage,Page-ErasableSerialFlashMemoryWithByte-Alterabilityanda33MHzSPIBusInterface SUMMARYDESCRIPTION TheM45PE40isa4Mbit(512Kx8bit)SerialPagedFlashMemoryaccessedbyahighspeedSPI-compatiblebus. Thememorycanbewrittenorprogrammed1to256bytesatatime,usingthePageWriteorPagePrograminstruction.ThePageWriteinstructionconsistsofanintegrate	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
M45PE40-VMW6TP	文件：886.61 Kbytes Page：46 Pages	4Mbit,lowvoltage,Page-ErasableSerialFlashmemorywithbyte-alterabilityanda50MHzSPIbusinterface Description TheM45PE40isa4Mbit(512Kx8bit)SerialPagedFlashMemoryaccessedbyahighspeedSPI-compatiblebus.Thememorycanbewrittenorprogrammed1to256bytesatatime,usingthePageWriteorPagePrograminstruction.ThePageWriteinstructionconsistsofanintegratedPag	NUMONYXNUMONYX 恒忆

产品属性

产品编号：
M45PE40-VMW6G
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
4Mb（512K x 8）
存储器接口：
SPI
写周期时间 - 字，页：
15ms，3ms
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
供应商器件封装：
8-SO W
描述：
IC FLASH 4MBIT SPI 75MHZ 8SO W

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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