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M36DR432AD10ZA6T	文件：834.14 Kbytes Page：52 Pages	32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product SUMMARYDESCRIPTION TheM36DR432AD/BDisalow-voltageMultipleMemoryProductwhichcombinestwomemorydevices:a32Mbit(2Mbitx16)non-volatileFlashmemoryanda4MbitSRAM. ThememoryisavailableinaStackedLFBGA6612x8mm-8x8activeballarray,0.8mmpitchpackageandsuppliedwit	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
M36DR432AD10ZA6T	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：66-LFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 32MBIT PARALLEL 66LFBGA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团

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M36DR432AD10ZA6T

文件：834.14 Kbytes

Page：52 Pages

32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product

SUMMARYDESCRIPTION TheM36DR432AD/BDisalow-voltageMultipleMemoryProductwhichcombinestwomemorydevices:a32Mbit(2Mbitx16)non-volatileFlashmemoryanda4MbitSRAM. ThememoryisavailableinaStackedLFBGA6612x8mm-8x8activeballarray,0.8mmpitchpackageandsuppliedwit

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

M36DR432AD10ZA6T

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：托盘封装/外壳：66-LFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 32MBIT PARALLEL 66LFBGA

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

产品属性

产品编号：
M36DR432AD10ZA6T
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
闪存
存储容量：
32Mb（2M x 16）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
1.65V ~ 2.2V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
66-LFBGA
供应商器件封装：
66-LFBGA（12x8）
描述：
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 66LFBGA

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