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M36DR432AD10ZA6T

32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product

SUMMARY DESCRIPTION The M36DR432AD/BD is a low-voltage Multiple Memory Product which combines two memory de vices: a 32 Mbit (2Mbit x16) non-volatile Flash memory and a 4 Mbit SRAM. The memory is available in a Stacked LFBGA66 12x8mm - 8x8 active ball array, 0.8mm pitch pack age and supplied wit

文件:834.14 Kbytes 页数:52 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

M36DR432AD10ZA6T

Package:66-LFBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 32MBIT PARALLEL 66LFBGA

STMICROELECTRONICS

意法半导体

M36N-4E

NMB
SMD/DIP

M36P0R8060N0ZSF

ST
BGA

ST

M36W0R6050U4ZSF

ST
BGA

ST

产品属性

  • 产品编号:

    M36DR432AD10ZA6T

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    闪存

  • 存储容量:

    32Mb(2M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    1.65V ~ 2.2V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    66-LFBGA

  • 供应商器件封装:

    66-LFBGA(12x8)

  • 描述:

    IC FLASH 32MBIT PARALLEL 66LFBGA

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更多M36DR432AD10ZA6T供应商 更新时间2025-10-6 16:00:00