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M360	文件：260.87 Kbytes Page：4 Pages	MIKRON M360 TYPICALAPPLICATIONS Sapphireprobeopticalpyrometercalibrations Infraredtemperaturesensors Infraredthermalimagingsystems Spectrographicanalyzers Spectralradiometers Heatfluxmeters	ADVANCEDENERGYAdvanced Energy Industries, Inc. 先进能源先进能源工业公司
M3604A	文件：151.42 Kbytes Page：2 Pages	4K(512 x 8) HIGH-SPEED PROM	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司）
M362-4	文件：583.37 Kbytes Page：9 Pages	UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY PRODUCTHIGHLIGHTS •FULLCOMPLIANCEWITHMIL-STD-1399(SECTION300B) •3URACKMOUNT •2.5KW/3KVAUPS •LONGHOLDUPTIME2HR@1KW/1HR@2KW M362-4MAINFEATURES: •19”,3URack-mount,18.25”deepwithrecessedI/Oconnectorstofitinshallowracks. •FullCompliancewithMIL-STD-1399	ENERCON Enercon Technologies Europe AG
M3624A	文件：151.42 Kbytes Page：2 Pages	4K(512 x 8) HIGH-SPEED PROM	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司）
M366S0823DTS	文件：67.1 Kbytes Page：7 Pages	PC100 Unbuffered DIMM(168pin) SPD Specification(64Mb D-die base) PC100UnbufferedDIMM M366S0424DTS-C80/C1H/C1L •Organization:4Mx64 •Composition:4Mx16*4 •Usedcomponentpart#:K4S641632D-TC80/TC1H/TC1L •#ofrowsinmodule:1row •#ofbanksincomponent:4banks •Feature:1,000milheight&singlesidedcomponent •Refresh:4K/64m	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
M366S2953MTS	文件：135.56 Kbytes Page：9 Pages	PC133/PC100 Unbuffered DIMM GENERALDESCRIPTION TheSamsungM366S2953MTSisa64Mbitx64SynchronousDynamicRAMhighdensitymemorymodule.TheSamsungM366S2953MTSconsistsofsixteenCMOS64Mx8bitwith4banksSynchronousDRAMsinTSOP-II400milpackageanda2KEEPROMin8-pinTSSOPpackageona168-pinglass-epoxy	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
M366S2953MTS-C1L	文件：135.56 Kbytes Page：9 Pages	PC133/PC100 Unbuffered DIMM GENERALDESCRIPTION TheSamsungM366S2953MTSisa64Mbitx64SynchronousDynamicRAMhighdensitymemorymodule.TheSamsungM366S2953MTSconsistsofsixteenCMOS64Mx8bitwith4banksSynchronousDRAMsinTSOP-II400milpackageanda2KEEPROMin8-pinTSSOPpackageona168-pinglass-epoxy	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
M366S2953MTS-C75	文件：135.56 Kbytes Page：9 Pages	PC133/PC100 Unbuffered DIMM GENERALDESCRIPTION TheSamsungM366S2953MTSisa64Mbitx64SynchronousDynamicRAMhighdensitymemorymodule.TheSamsungM366S2953MTSconsistsofsixteenCMOS64Mx8bitwith4banksSynchronousDRAMsinTSOP-II400milpackageanda2KEEPROMin8-pinTSSOPpackageona168-pinglass-epoxy	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
M366S3253DTS	文件：159.58 Kbytes Page：11 Pages	32Mx64 SDRAM DIMM based on 32Mx8, 4Banks, 8K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD GENERALDESCRIPTION TheSamsungM366S3253DTSisa32Mbitx64SynchronousDynamicRAMhighdensitymemorymodule.TheSamsungM366S325DCTSconsistsofeightCMOS32Mx8bitwith4banksSynchronousDRAMsinTSOP-II400milpackageanda2KEEPROMin8-pinTSSOPpackageona168-pinglass-epoxysu	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
M366S3953MTS-C1H	文件：135.56 Kbytes Page：9 Pages	PC133/PC100 Unbuffered DIMM GENERALDESCRIPTION TheSamsungM366S2953MTSisa64Mbitx64SynchronousDynamicRAMhighdensitymemorymodule.TheSamsungM366S2953MTSconsistsofsixteenCMOS64Mx8bitwith4banksSynchronousDRAMsinTSOP-II400milpackageanda2KEEPROMin8-pinTSSOPpackageona168-pinglass-epoxy	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
M368L2923DUN	文件：239 Kbytes Page：10 Pages	DDR SDRAM Product Guide ConsumerMemory	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
M368L3223DTL	文件：82.4 Kbytes Page：12 Pages	256MB DDR SDRAM MODULE GENERALDESCRIPTION TheSamsungM368L3223DTLis32Mbitx64DoubleDataRateSDRAMhighdensitymemorymodules.TheSamsungM368L3223DTLconsistsofeightCMOS32Mx8bitwith4banksDoubleDataRateSDRAMsin66pinTSOP-II(400mil)packagesmountedona184pinglass-epoxysubstrate.Four0.1uF	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
M368L3223DTL	文件：82.4 Kbytes Page：12 Pages	256MB DDR SDRAM MODULE GENERALDESCRIPTION TheSamsungM368L3223DTLis32Mbitx64DoubleDataRateSDRAMhighdensitymemorymodules.TheSamsungM368L3223DTLconsistsofeightCMOS32Mx8bitwith4banksDoubleDataRateSDRAMsin66pinTSOP-II(400mil)packagesmountedona184pinglass-epoxysubstrate.Four0.1uF	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
M368L3223HUS	文件：239 Kbytes Page：10 Pages	DDR SDRAM Product Guide ConsumerMemory	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
M368L3223JUS	文件：239 Kbytes Page：10 Pages	DDR SDRAM Product Guide ConsumerMemory	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
M368L6423HUN	文件：239 Kbytes Page：10 Pages	DDR SDRAM Product Guide ConsumerMemory	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
M368L6423JUN	文件：239 Kbytes Page：10 Pages	DDR SDRAM Product Guide ConsumerMemory	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
M368L6523DUS	文件：239 Kbytes Page：10 Pages	DDR SDRAM Product Guide ConsumerMemory	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
M36DR432A	文件：328.77 Kbytes Page：46 Pages	32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product DESCRIPTION TheM36DR432isamultichipmemorydevicecontaininga32MbitbootblockFlashmemoryanda4MbitofSRAM.ThedeviceisofferedinaStackedLFBGA66(0.8mmpitch)package. FEATURESSUMMARY ■SUPPLYVOLTAGE –VDDF=VDDS=1.65Vto2.2V –VPPF=12VforFastProgram(opt	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
M36DR432A100ZA6C	文件：328.77 Kbytes Page：46 Pages	32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product DESCRIPTION TheM36DR432isamultichipmemorydevicecontaininga32MbitbootblockFlashmemoryanda4MbitofSRAM.ThedeviceisofferedinaStackedLFBGA66(0.8mmpitch)package. FEATURESSUMMARY ■SUPPLYVOLTAGE –VDDF=VDDS=1.65Vto2.2V –VPPF=12VforFastProgram(opt	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团

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详细参数

型号：
M36
制造商：
Alpha Wire
功能描述：
CBL 1COND 30AWG 300V SLATE 1000'

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市力通伟业半导体有限公司	M36022	TI	D/C	DIP	2	特价热销现货库存100%原装正品欢迎来电订购!	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	M3602D-B1AG	ALI	2017+	PDGA2	65895	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	M360R232A				3000	公司存货	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	M36022	TI/TEXAS	23+	DIP	8931		询价
深圳市粤科源兴科技有限公司	M3606-ALCA	ALI	13+	LQFP-256	1451	原装分销	询价
深圳好佳好科技有限公司	M3602-B1AG	ALI	1436+		30000	BGA	询价
深圳市凌旭科技有限公司	M3601E-ALAA	ALI	2016+	QFP	2600	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
深圳市弘为电子有限公司	M36018	TI	16+	DIP	2	原装现货假一罚十	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	M3606-ALCA	ALI	17+	QFP	10800		询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	M3602DB1	ALI	2020+	BGA	672	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价

更多M36供应商更新时间2024-4-28 9:06:00

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