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PH3230	文件：255.38 Kbytes Page：13 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description ThelatestgenerationN-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaSOT669(LFPAK)package. Productavailability: PH3230inSOT669(LFPAK). Features ■Logiclevelcompatible ■Lowdrivecurrent ■Highdensitymounting ■Verylowon-stateresistance. Applicat	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PH3230S	文件：385.14 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSintermediatelevelFET Generaldescription IntermediatelevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforuseincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. Featuresandbenefits ■Lowco	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PH3230S	文件：97.45 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOS??logiclevelFET Description N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™technology. Features ■Logiclevelcompatible ■Lowgatecharge ■Highdensitymounting ■Verylowon-stateresistance. Applications ■DC-to-DCconverters ■Switched-modepowersu	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PH3230S	文件：486.97 Kbytes Page：13 Pages	N-channelTrenchMOSintermediatelevelFET 1.1Generaldescription IntermediatelevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSA3230C	文件：76.03 Kbytes Page：2 Pages	LOWCOST-HIGHPERFORMANCEPHASELOCKEDLOOP	ZCOMM Z-Communications, Inc	ZCOMM
PST3230	文件：177.66 Kbytes Page：9 Pages	CMOSSystemReset Outline ThisICisasystemresetICdevelopedusingtheCMOSprocess.Superlowconsumptioncurrentof0.25µAtyp.hasbeenachievedthroughuseoftheCMOSprocess.Also,detectionvoltageishighprecisiondetectionof±2. Features 1.Superlowconsumptioncurrent0.25µAtyp.(whenVDD	MITSUMIMitsumi Electronics, Corp. 三美三美电机株式会社	MITSUMI
PST3230	文件：89.77 Kbytes Page：9 Pages	ICforCMOSSystemReset Outline ThisICisasystemresetICdevelopedusingtheCMOSprocess.Superlowconsumptioncurrentof0.25µAtyp.hasbeenachievedthroughuseoftheCMOSprocess.Also,detectionvoltageishighprecisiondetectionof±2. Features 1.Superlowconsumptioncurrent0.25µAtyp.(whenVDD	MITSUMIMitsumi Electronics, Corp. 三美三美电机株式会社	MITSUMI
QPA3230	文件：481.2 Kbytes Page：7 Pages	GaAs/GaNPowerDoublerHybrid	RFMD RF Micro Devices	RFMD
QPA3230	文件：481.2 Kbytes Page：7 Pages	GaAs/GaNPowerDoublerHybrid45MHzto1218MHz	QORVO Qorvo, Inc	QORVO
REF3230	文件：311.09 Kbytes Page：15 Pages	4ppm/C,100UA,SOT23-6SERIESVOLTAGEREFERENCE	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN

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