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M28F101-90XN3

1Mb128Kx8,ChipEraseFLASHMEMORY

DESCRIPTION TheM28F101FLASHMemoryisanon-volatilememorywhichmaybeerasedelectricallyatthe chiplevelandprogrammedbyte-by-byte.Itisorganisedas128Kbytesof8bits.Itusesacommandregisterarchitecturetoselecttheoperatingmodesandthusprovidesasimplemicroprocess

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更多M28F101-90XN3R供应商 更新时间2025-7-30 16:30:00