| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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ONTO-252-4 |
35400 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
留言
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ACR |
1688 |
23+ |
房间现货库存:QQ:373621633 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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ON/安森美DPAK |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO-252 |
5000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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ONDPAK |
56000 |
23+ |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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ONTO-252 |
37650 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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海芯未来半导体电子（深圳）有限公司2年
留言
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ONDPAK |
14950 |
1425+ |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
留言
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onsemi(安森美)TO-252-2 |
2366 |
22+ |
QQ询价 绝对原装正品 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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ONSOT252 |
2000 |
10+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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ONTO-252 |
90000 |
20+ |
原装正品现货/价格优势 |
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深圳市莱克讯科技有限公司6年
留言
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MOTTO-252 |
42568 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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MOTOROLA/摩托罗拉TO-252 |
98 |
23+ |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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MOTTO252 |
49569 |
22+23+ |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-252 |
68900 |
FAIRCHILD |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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ONSOT252 |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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ONSDPAK |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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ONSOT252 |
2987 |
22+ |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO-252 |
505348 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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MOTOROLA/摩托罗拉TO-252 |
10880 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
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ONSOT252 |
13475 |
22+ |
进口原装 |
MJD200采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
MJD200图片
MJD200G价格
MJD200G价格：￥1.0230品牌：ON
生产厂家品牌为ON的MJD200G多少钱，想知道MJD200G价格是多少？参考价：￥1.0230。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，MJD200G批发价格及采购报价，MJD200G销售排行榜及行情走势，MJD200G报价。
MJD200中文资料Alldatasheet PDF
更多MJD200功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 25V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD200_06制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Plastic Power Transistors
MJD200_11制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Plastic Power Transistors
MJD200-1制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS
MJD200G功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 25V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD200RL功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 25V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD200RLG功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 25V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD200T4功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 25V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD200T4G功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 25V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD200T5G功能描述:两极晶体管 - BJT BIP DPAK 5A 25V TR NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号：
MJD200
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.8V @ 1A，5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
45 @ 2A，1V
- 频率 - 跃迁：
65MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
DPAK
- 描述：
TRANS NPN 25V 5A DPAK
