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MBR360	文件：75.68 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS3.0AMPERES20,30,40VOLTS ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,hi	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MBR360	文件：33.77 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER Description/Features TheMBR350,MBR360axialleadedSchottkyrectifierhasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Typicalapplicationsareinswitchingpowersupplies,converters,free-wheelingdiodes,andreversebatteryprotection. •Lowprofile,axialleade	IRF International Rectifier	IRF
MBR360	文件：57.32 Kbytes Page：4 Pages	AxialLeadRectifiers ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage,high−frequencyinverters,freewheeling	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR360	文件：121.56 Kbytes Page：6 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS3.0AMPERES20,30,40,50,60VOLTS AxialLeadRectifier ...employingtheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal–to–siliconpowerdiode.State–of–the–artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow–voltage,high–frequencyinverte	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MBR360	文件：59.75 Kbytes Page：4 Pages	AxialLeadRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR360	文件：84.26 Kbytes Page：5 Pages	SchottkyRectifier,3A DESCRIPTION TheMBR350,MBR360axialleadedSchottkyrectifierhasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Typicalapplicationsareinswitchingpowersupplies,converters,freewheelingdiodes,andreversebatteryprotection. FEATURES •Lowprofile,axialleaded	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR360	文件：70.26 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE40to200VoltCURRENT3Ampere FEATURES •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighSurgeCapability •HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop •SurgeOverloadRatingto80APeak •ForUseinLowVoltage,HighFrequen	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MBR360	文件：120.33 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyRectifier,3A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR360	文件：72.28 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES ●Metal-Semiconductorjunctionwithguardring ●Epitaxialconstruction ●Lowforwardvoltagedrop ●Highcurrentcapability ●TheplasticmaterialcarriesULrecognition94V-0 ●Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications	CTC ctconline	CTC
MBR360	文件：376.203 Kbytes Page：2 Pages	3.0A60VSchottkydiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE

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产品属性

产品编号：
LTS-360G
制造商：
Lite-On Inc.
类别：
光电器件 > 显示器模块 - LED 字符与数字
包装：
管件
字符数：
1
大小 / 尺寸：
0.551" 高 x 0.291" 宽 x 0.332" 直径（14.00mm x 7.40mm x 8.44mm）
数字/字母大小：
0.36"（9.14mm）
显示类型：
7 段
通用引脚：
共阳极
颜色：
绿色
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
2.1V
电流 - 测试：
20mA
毫烛光等级：
2mcd
波长 - 峰值：
565nm
功率耗散（最大值）：
75mW
封装/外壳：
10-DIP（0.200"，5.08mm）
描述：
DISPLAY 7SEG 0.36\

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