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MJE13001	文件：393.83 Kbytes Page：5 Pages	NPNMJESERIESTRANSISTORS	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 深爱半导体深圳深爱半导体股份有限公司	SISEMIC
MJE13001	文件：247.5 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features •Capableof1.0WattsofPowerDissipation. •Collector-current0.2A •Collector-baseVoltage600V •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55OCto+150OC •Marking:13001 •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginf	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MJE13001	文件：423.43 Kbytes Page：4 Pages	NPNTripleDiffusedPlanarTypeHighVoltageTransistor	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
MJE13001	文件：180.3 Kbytes Page：1 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MJE13001	文件：219.41 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPOWERTRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MJE13001	文件：92.13 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR FEATURES Collector-basevoltage:V(BR)CBO=600V Collectorcurrent:IC=0.2A	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MJE13001AH	文件：320.18 Kbytes Page：4 Pages	NPNBULSERIESTRANSISTORS	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 深爱半导体深圳深爱半导体股份有限公司	SISEMIC
MJE13001AT	文件：691.35 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MJE13001CT	文件：705.61 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MJE13001-E	文件：281.88 Kbytes Page：8 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCMJE13003-Edesignedforuseinhigh–volatge,highspeed,powerswitchingininductivecircuit,Itisparticularlysuitedfor115and220Vswitchmodeapplicationssuchasswitchingregulator’s,inverters,DC-DCconverter,Motorcontrol,Solenoid/Relaydriversanddeflectioncircu	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

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