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INN3879C	文件：3.06716 Mbytes Page：44 Pages	Off-LineQRFlybackSwitcherICwithIntegratedUSBType-CandUSBPDController,High-VoltageSwitch,SynchronousRectificationandFluxLinkFeedback USBTypeCandPDController •USBPowerDelivery3.0+PPSproviderandQC4support •CompliantwithUSBType-CRev.1.3 •IntegratedVCONNFETswithsoftstartandover-currentprotection •Supportselectronicallymarkedcables •Configurablepull-upresistorRp •Onchiptemperaturesenso	POWERINTPower Integrations, Inc. 荷兰帕沃英蒂格盛有限公司	POWERINT
KTC3879	文件：1.36259 Mbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighPowerGain APPLICATIONS HighFrequencyApplication HF,VHFBandAmplifierApplication	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
KTC3879	文件：1.09332 Mbytes Page：2 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
KTC3879	文件：431.97 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(HIGHFREQUENCY,HFVHFBANDAMPLIFIER) HIGHFREQUENCYAPPLICATION. HF,VHFBANDAMPLIFIERAPPLICATION. FEATURES •HighPowerGain:Gpe=29dB(Typ.)(f=10.7MHz)	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTC3879	文件：222.06 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES •Highpowergain. APPLICATIONS •Highfrequencyapplication. •HF,VHFbandamplifierappilication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
KTC3879	文件：59.22 Kbytes Page：1 Pages	0.05A,35VNPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES •HighPowerGain APPLICATIONS •HighFrequencyApplication •HF,VHFBandAmplifierApplication	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
KTC3879	文件：485.9 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES •HighPowerGain APPLICATIONS •HighFrequencyApplication •HF,VHFBandAmplifierApplication	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
KTC3879	文件：133.61 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES •Highpowergain	MAKOSEMI MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED	MAKOSEMI
KTC3879	文件：893.99 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighPowerGain APPLICATIONS ●HighFrequencyApplication ●HF,VHFBandAmplifierApplication	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
KTC3879	文件：190.22 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
KTC3879	文件：201.97 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES •Highpowergain	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
KTC3879S	文件：691.91 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features HighGpe. Applications HF,VHFbandamplifierapplication.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
LP3879	文件：1.03306 Mbytes Page：18 Pages	LP3879Micropower800mALowNoiseCeramicStableVoltageRegulatorforLow	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LP3879	文件：725.47 Kbytes Page：11 Pages	Micropower800mALowNoiseCeramicStableVoltageRegulatorforLowVoltageApplications	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LTC3879	文件：465.17 Kbytes Page：36 Pages	CurrentModeSynchronousControllerforSubMilliohmDCRSensing	LINERLinear Technology 线性技术公司	LINER
LTC3879	文件：1.18265 Mbytes Page：112 Pages	SinglePhaseStep-DownDC/DCControllerwithDigitalPowerSystemManagement	LINERLinear Technology 线性技术公司	LINER
MB3879	文件：544.61 Kbytes Page：54 Pages	DC/DCConverterICforParallelChargingof3/4cellLi-ion&NiMHBatteries DESCRIPTION TheMB3879isaDC/DCconverterICforparallelchargingof3/4cellLi-ion&NiMHbatteries,whichusesthepulse-widthmodulation(PWM)forcontrollingoutputvoltagesandoutputcurrentsindependently.ThisICcandynamicallycontrolsecondarybatterie’schargecurrent,which	FujitsuFujitsū Kabushiki-gaisha 富士通富士通株式会社	Fujitsu
MB3879PFV	文件：544.61 Kbytes Page：54 Pages	DC/DCConverterICforParallelChargingof3/4cellLi-ion&NiMHBatteries DESCRIPTION TheMB3879isaDC/DCconverterICforparallelchargingof3/4cellLi-ion&NiMHbatteries,whichusesthepulse-widthmodulation(PWM)forcontrollingoutputvoltagesandoutputcurrentsindependently.ThisICcandynamicallycontrolsecondarybatterie’schargecurrent,which	FujitsuFujitsū Kabushiki-gaisha 富士通富士通株式会社	Fujitsu
SI3879DV	文件：137.46 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFETwithSchottkyDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TC3879	文件：58.56 Kbytes Page：2 Pages	7WPackagedSingle-BiasPHEMTGaAsPowerFETs DESCRIPTION TheTC3879isaself-biasflangeceramicpackageddevicewithPHEMTGaAsFETs,whichisdesignedtoprovidethesinglepowersupply.TheflangeceramicpackageprovidesexcellentthermalconductivityfortheGaAsFET.Thedeviceissuitableforoscillatorsandpoweramplifiersinawi	TRANSCOMTranscom, Inc. Transcom, Inc.	TRANSCOM

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更多LTC3879EUDTRPBF供应商更新时间2024-6-20 15:00:00

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