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NCE6005AR	文件：678.79 Kbytes Page：8 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE6005ARusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=5A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE6005AS	文件：1.09197 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel60V(D-S)175째CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCE6005AS	文件：664.64 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE6005ASusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=5A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE6005R	文件：307.94 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE6005R	文件：951.87 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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NCE6005S	文件：1.08885 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel60V(D-S)175째CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTE6005	文件：26.8 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerRectifierDiode,40Amp SiliconPowerRectifierDiode,40Amp Features: HighSurgeCurrentCapability HighVoltageAvailable DesignedforaWideRangeofApplications AvailableinAnode–to–CaseorCathode–to–CaseStyle	NTE NTE Electronics	NTE
NTE6005	文件：34.9 Kbytes Page：3 Pages	NTE5906,NTE5907,NTE5980thruNTE6005SiliconPowerRectifierDiode,40Amp SiliconPowerRectifierDiode,40Amp Features: HighSurgeCurrentCapability HighVoltageAvailable DesignedforaWideRangeofApplications AvailableinAnode–to–CaseorCathode–to–CaseStyle	NTE NTE Electronics	NTE
NUF6005MU	文件：80.24 Kbytes Page：4 Pages	6LineEMIFilterwithESDProtectioninUDFNPackage	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
LT6005IGN
制造商：
Linear Technology
功能描述：
OP Amp Quad GP R-R I/O ±8V/16V 16-Pin SSOP N

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