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UPA1970	文件：68.74 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheµPA1970isaswitchingdevicewhichcanbedrivendirectlybya2.5Vpowersource. Thedevicefeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •2.5Vdriv	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPA1970TE	文件：68.74 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheµPA1970isaswitchingdevicewhichcanbedrivendirectlybya2.5Vpowersource. Thedevicefeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •2.5Vdriv	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPA1970TE	文件：203.33 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA1970isaswitchingdevicewhichcanbedriven directlybya2.5Vpowersource. Thedevicefeaturesalowon-stateresistanceandexcellent switchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuch aspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •2.5Vd	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1970TE	文件：522.01 Kbytes Page：9 Pages	DualN-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
LT1970CFE
功能描述：
IC OPAMP ADJ CURR LIMIT 20-TSSOP
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation
系列：
-
标准包装：
50
放大器类型：
J-FET
电路数：
2
输出类型：
-
转换速率：
3.5 V/µs
增益带宽积：
1MHz
-3db带宽：
- 电流 -
输入偏压：
30pA 电压 -
输入偏移：
2000µV 电流 -
电源：
200µA 电流 -
输出/通道：
- 电压 -
电源，单路/双路(±)：
7 V ~ 36 V，±3.5 V ~ 18 V
工作温度：
0°C ~ 70°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
8-DIP（0.300，7.62mm）
供应商设备封装：
8-PDIP
包装：
管件

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更多LT1970CFE供应商更新时间2024-5-28 16:18:00

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