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LT1801IDD	文件：580.49 Kbytes Page：20 Pages	Dual/Quad 80MHz, 25V/關s Low Power Rail-to-Rail Input and Output Precision Op Amps 文件：580.49 Kbytes 页数：20 Pages	LINER 凌力尔特	LINER
MGF1801	文件：23.06 Kbytes Page：3 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET DESCRIPTION The MGF1801B, medium-power GaAs FET with an N-channel Schottky gate, is designed for use in S to X band amplifiers and oscillators. The hermetically sealed metalceramic package assures minimum parasitic losses, and has a configuration suitable for microstrip circuits. FEATURES • Hig 文件：23.06 Kbytes 页数：3 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MGF1801	文件：121.25 Kbytes Page：3 Pages	TAPE CARRIER MICROWAVE POWER GaAs FET? 文件：121.25 Kbytes 页数：3 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MGFC1801	文件：220.38 Kbytes Page：6 Pages	FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFIERS,N-CHANNEL SCHOTTKY BARRIER GATE TYPE? FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFIERS N-CHANNEL SCHOTTKY BARRIER GATE TYPE 文件：220.38 Kbytes 页数：6 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI

详细参数

型号：
LT1801IDD
功能描述：
IC OP AMP PREC DUAL R-R 8-DFN
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation
系列：
-
其它有关文件：
Automotive Product Guide
产品培训模块：
Lead(SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program
标准包装：
1
放大器类型：
通用
电路数：
1
输出类型：
满摆幅
转换速率：
3 V/µs
增益带宽积：
10MHz
-3db带宽：
- 电流 -
输入偏压：
1pA 电压 -
输入偏移：
70µV 电流 -
电源：
2.5mA 电流 -
输出/通道：
48mA 电压 -
电源，单路/双路(±)：
2.7 V ~ 5.5 V，±1.35 V ~ 2.75 V
工作温度：
-40°C ~ 125°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
SOT-23-6
供应商设备封装：
SOT-6
包装：
Digi-Reel®
其它名称：
MAX4475AUT#TG16DKR

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