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LT1801CDD

Dual/Quad 80MHz, 25V/關s Low Power Rail-to-Rail Input and Output Precision Op Amps

文件:580.49 Kbytes 页数:20 Pages

LINER

凌力尔特

MGF1801

MICROWAVE POWER GaAs FET

DESCRIPTION The MGF1801B, medium-power GaAs FET with an N-channel Schottky gate, is designed for use in S to X band amplifiers and oscillators. The hermetically sealed metalceramic package assures minimum parasitic losses, and has a configuration suitable for microstrip circuits. FEATURES • Hig

文件:23.06 Kbytes 页数:3 Pages

MITSUBISHI

三菱电机

MGF1801

TAPE CARRIER MICROWAVE POWER GaAs FET?

文件:121.25 Kbytes 页数:3 Pages

MITSUBISHI

三菱电机

MGFC1801

FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFIERS,N-CHANNEL SCHOTTKY BARRIER GATE TYPE?

FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFIERS N-CHANNEL SCHOTTKY BARRIER GATE TYPE

文件:220.38 Kbytes 页数:6 Pages

MITSUBISHI

三菱电机

详细参数

  • 型号:

    LT1801CDD

  • 功能描述:

    IC PREC OPAMP R-R DUAL LP 8DFN

  • RoHS:

  • 类别:

    集成电路(IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    50

  • 系列:

    LinCMOS™

  • 放大器类型:

    通用

  • 电路数:

    4

  • 输出类型:

    -

  • 转换速率:

    0.05 V/µs

  • 增益带宽积:

    110kHz

  • -3db带宽:

    - 电流 -

  • 输入偏压:

    0.7pA 电压 -

  • 输入偏移:

    210µV 电流 -

  • 电源:

    57µA 电流 -

  • 输出/通道:

    30mA 电压 -

  • 电源,单路/双路(±):

    3 V ~ 16 V,±1.5 V ~ 8 V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    14-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

  • 供应商设备封装:

    14-SOIC

  • 包装:

    管件

  • 产品目录页面:

    865(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    296-1834296-1834-5

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更多LT1801CDD供应商 更新时间2026-4-18 13:48:00