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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES •2.5-Vgatedriveandlowon-resistance RDS(on)1=9.1mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=6.0A) RDS(on)2=10.0mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=6.0A) RDS(on)3=12.5mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=6.0A) •LowCiss:Ciss=2700pFTYP. •Built | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION TheµPA1726isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofnotebookcomputersandsoon. FEATURES •2.5-Vgatedriveandlowon-resistance RDS(on)1=9.1mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=6.0A) RDS(on)2=10.0mΩMAX.(VGS=4.0 | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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