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Q1127	文件：1.047119 Mbytes Page：11 Pages	Toggleswitch,multiplecircuitry,termination,andcaps	APEX-ELECTRONICS Apex Electronics Co., Ltd	APEX-ELECTRONICS
RF1127	文件：555.63 Kbytes Page：8 Pages	BROADBANDLOWPOWERSPDTSWITCH	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RLZTE-1127C	文件：820.45 Kbytes Page：4 Pages	500mWZenerLeadlessDiodes	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RLZTE-1127D	文件：820.45 Kbytes Page：4 Pages	500mWZenerLeadlessDiode	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SD1127	文件：72.13 Kbytes Page：3 Pages	RF&MICROWAVETRANSISTORSVHFFMMOBILEAPPLICATIONS DESCRIPTION: TheSD1127isaepitaxialsiliconNPNtransistordesignedprimarilyforVHFmobilecommunications.Thechipofthistransistorismountedonaberylliapilltoisolatethecollectorleadandgroundtheemitterleadforhighgainperformance Features ·175MHz ·12.5VOLTS ·POUT	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
SD1127	文件：87.67 Kbytes Page：3 Pages	RF&MICROWAVETRANSISTORSVHPFMMOBILEAPPLICATIONS DESCRIPTION: TheSD1127isaepitaxialsiliconNPNtransistordesignedprimarilyforVHPmobilecommunications.Thechipofthistransistorismountedonaberylliapilltoisolatethecollectorleadandgroundtheemitterleadforhighgainperformance Features •175MHz •12.5VOLTS •POUT=	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
SD1127	文件：105.43 Kbytes Page：3 Pages	RF&MICROWAVETRANSISTORSVHFCOMMUNICATIONS DESCRIPTION: THESD1127ISA12.5VOLTSILICONNPNPLANARTRANSISTORDESIGNEDFORECONOMICALVHFCOMMUNICATIONS.THETRANSISTORCHIPISMOUNTEDONABERYLLIUMOXIDETABTOISOLATETHECOLLECTORLEADALLOWINGAGROUNDEDEMITTERCONFIGURATIONFORHIGHGAINANDEXCELLENTHEATDISSIPATION. Features	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
SD1127	文件：42.87 Kbytes Page：1 Pages	SILICONNPNRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASISD1127isdesignedforVHFmobilcommunicationsapplicationsupto175MHz. FEATURES: •GroundedEmiterTheASISD1127 •Gp12dB@12.5V175MHz •Pout4.0VMin.	ASI Advanced Semiconductor	ASI
SMT-1127-S-R	文件：256.35 Kbytes Page：1 Pages	ALLDIMENSIONSAREINMILLIMETERS	PUIAUDIO PUI audio inc.	PUIAUDIO
TMCS1127	文件：2.77533 Mbytes Page：35 Pages	TMCS1127250kHzHall-EffectCurrentSensorWithReinforcedIsolationWorkingVoltageandAmbientFieldRejection 1Features •Highcontinuouscurrentcapability:80ARMS •Robustreinforcedisolation •Highaccuracy –Sensitivityerror:±0.4% –Sensitivitythermaldrift:±40ppm/°C –Sensitivitylifetimedrift:±0.2% –Offseterror:±0.7mV –Offsetthermaldrift:±10μV/°C –Offsetlifetimedri	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

详细参数

型号：
LT1127CSW
功能描述：
IC OP-AMP DECOMPNSAT QUAD 16SOIC
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation
系列：
-
标准包装：
2,500
系列：
Excalibur™
放大器类型：
J-FET
电路数：
1
输出类型：
-
转换速率：
45 V/µs
增益带宽积：
10MHz
-3db带宽：
- 电流 -
输入偏压：
20pA 电压 -
输入偏移：
490µV 电流 -
电源：
1.7mA 电流 -
输出/通道：
48mA 电压 -
电源，单路/双路(±)：
4.5 V ~ 38 V，±2.25 V ~ 19 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
8-SOIC
包装：
带卷(TR)

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