SD1127分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
SD1127 |
| 参数属性 | SD1127 封装/外壳为TO-205AD，TO-39-3 金属罐；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 18V 175MHZ TO39 |
| 功能描述 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF COMMUNICATIONS |
| 封装外壳 | TO-205AD，TO-39-3 金属罐 |
| 文件大小 |
105.43 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | MICROSEMI |
| 中文名称 | 美高森美 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-3 10:34:00 |
| 人工找货 | SD1127价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
SD1127规格书详情
SD1127属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由美高森美半导体公司制造生产的SD1127晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
DESCRIPTION:
THE SD1127 IS A 12.5 VOLT SILICON NPN PLANAR TRANSISTOR DESIGNED FOR ECONOMICAL VHF COMMUNICATIONS. THE TRANSISTOR CHIP IS MOUNTED ON A BERYLLIUM OXIDE TAB TO ISOLATE THE COLLECTOR LEAD ALLOWING A GROUNDED EMITTER CONFIGURATION FOR HIGH GAIN AND EXCELLENT HEAT DISSIPATION.
特性 Features
• DESIGNED FOR VHF MILITARY AND COMMERCIAL EQUIPMENT
• 4.0 WATTS (MIN) WITH GREATER THAN 10 dB GAIN
• GROUNDED EMITTER CONFIGURATION
产品属性
更多- 产品编号：
SD1127
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
18V
- 频率 - 跃迁：
175MHz
- 增益：
12dB
- 功率 - 最大值：
8W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 50mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
640mA
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-205AD，TO-39-3 金属罐
- 供应商器件封装：
TO-39
- 描述：
RF TRANS NPN 18V 175MHZ TO39
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MSC |
2024+ |
CAN-3 |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
NEC |
05+ |
原厂原装 |
2455 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
APT |
23+ |
1688 |
房间现货库存:QQ:373621633 |
询价 | |||
MSC |
专业铁帽 |
CAN3 |
1100 |
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货 |
询价 | ||
MICROSEMI/美高森美 |
24+ |
65230 |
询价 | ||||
MICROSE |
37 |
询价 | |||||
MSC |
24+ |
CAN3 |
524 |
询价 | |||
KODENSHI原 |
25+23+ |
DIP-6SMD- |
30042 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
KODENSHI |
24+ |
DIP-6SMD-6 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
Samtec |
50000 |
询价 |
