SD1127分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
SD1127 |
| 参数属性 | SD1127 封装/外壳为TO-205AD，TO-39-3 金属罐；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 18V 175MHZ TO39 |
| 功能描述 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF COMMUNICATIONS |
| 封装外壳 | TO-205AD，TO-39-3 金属罐 |
| 文件大小 |
105.43 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | MICROSEMI |
| 中文名称 | 美高森美 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-30 11:10:00 |
| 人工找货 | SD1127价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
SD1127规格书详情
SD1127属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由美高森美半导体公司制造生产的SD1127晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
DESCRIPTION:
THE SD1127 IS A 12.5 VOLT SILICON NPN PLANAR TRANSISTOR DESIGNED FOR ECONOMICAL VHF COMMUNICATIONS. THE TRANSISTOR CHIP IS MOUNTED ON A BERYLLIUM OXIDE TAB TO ISOLATE THE COLLECTOR LEAD ALLOWING A GROUNDED EMITTER CONFIGURATION FOR HIGH GAIN AND EXCELLENT HEAT DISSIPATION.
特性 Features
• DESIGNED FOR VHF MILITARY AND COMMERCIAL EQUIPMENT
• 4.0 WATTS (MIN) WITH GREATER THAN 10 dB GAIN
• GROUNDED EMITTER CONFIGURATION
产品属性
更多- 产品编号：
SD1127
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
18V
- 频率 - 跃迁：
175MHz
- 增益：
12dB
- 功率 - 最大值：
8W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 50mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
640mA
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-205AD，TO-39-3 金属罐
- 供应商器件封装：
TO-39
- 描述：
RF TRANS NPN 18V 175MHZ TO39
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
11200 |
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询价 | |||
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询价 | ||
ST |
23+ |
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Microsemi |
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25+ |
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MSC |
2024+ |
CAN-3 |
50000 |
原装现货 |
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MICROSEMI |
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CAN3 |
20000 |
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询价 | ||
NEC |
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原厂原装 |
2455 |
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询价 |
