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NPA1007	文件：12.93189 Mbytes Page：9 Pages	NextgenerationhighpowerRFsemiconductortechnology	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
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PA1007	文件：225.13 Kbytes Page：2 Pages	Instantaneouswidebandwidth FEATURES ClassABlinearGaNdesign Instantaneouswidebandwidth Suitableforallmodulationsstandards Built-inprotectioncircuits Highreliabilityandruggedness	MTRONPTI mtronpti	MTRONPTI
PBPC1007	文件：333.02 Kbytes Page：3 Pages	10ABRIDGERECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PBPC1007	文件：51.49 Kbytes Page：2 Pages	10ABRIDGERECTIFIER Features •HighCurrentCapability •SurgeOverloadRatingto150APeak •HighCaseDielectricStrengthof1500V •IdealforPrintedCircuitBoardApplication •ULListedUnderRecognizedComponentIndex,FileNumberE94661	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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详细参数

型号：
LT1007CSW
功能描述：
IC PREC OP-AMP HISPD SNGL 16SOIC
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation
系列：
-
标准包装：
50
放大器类型：
J-FET
电路数：
2
输出类型：
-
转换速率：
3.5 V/µs
增益带宽积：
1MHz
-3db带宽：
- 电流 -
输入偏压：
30pA 电压 -
输入偏移：
2000µV 电流 -
电源：
200µA 电流 -
输出/通道：
- 电压 -
电源，单路/双路(±)：
7 V ~ 36 V，±3.5 V ~ 18 V
工作温度：
0°C ~ 70°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
8-DIP（0.300，7.62mm）
供应商设备封装：
8-PDIP
包装：
管件

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