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MBRD835L	文件：130.83 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODEPowerRectifier Thisswitch−modepowerrectifierwhichusestheSchottkyBarrierprinciplewithaproprietarybarriermetal,isdesignedforuseasoutputrectifiers,freewheeling,protectionandsteeringdiodesinswitchingpowersupplies,invertersandotherinductiveswitchingcircuits. Features •LowForwa	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRD835L	文件：62.42 Kbytes Page：2 Pages	8ALOWVFSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighSurgeCapability •VeryLowForwardVoltageDrop •ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications •PlasticMaterial:ULFlammabilit	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MBRD835L	文件：127.95 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODE??PowerRectifirersDPAKSurfaceMountPackage ThisSWITCHMODEpowerrectifierwhichusestheSchottkyBarrierprinciplewithaproprietarybarriermetal,isdesignedforuseasoutputrectifiers,freewheeling,protectionandsteeringdiodesinswitchingpowersupplies,invertersandotherinductiveswitchingcircuits.Thisstateoftheartd	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MBRD835LG	文件：130.83 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODEPowerRectifier Thisswitch−modepowerrectifierwhichusestheSchottkyBarrierprinciplewithaproprietarybarriermetal,isdesignedforuseasoutputrectifiers,freewheeling,protectionandsteeringdiodesinswitchingpowersupplies,invertersandotherinductiveswitchingcircuits. Features •LowForwa	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRD835LG	文件：113.63 Kbytes Page：5 Pages	SWITCHMODEPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRD835LG	文件：115.42 Kbytes Page：5 Pages	SWITCHMODEPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRD835LG	文件：215.07 Kbytes Page：6 Pages	Switch-modePowerRectifierDPAKSurfaceMountPackage Thisswitch−modepowerrectifierwhichusestheSchottkyBarrier principlewithaproprietarybarriermetal,isdesignedforuseasoutput rectifiers,freewheeling,protectionandsteeringdiodesinswitching powersupplies,invertersandotherinductiveswitchingcircuits. Features •Low	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRF835	文件：301.14 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
MBRF835	文件：244.2 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MBRF835	文件：230.67 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MBRF835CT	文件：316.75 Kbytes Page：2 Pages	Isolated8.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers VoltageRange30to100VoltsCurrent8.0Amperes Features ✧PlasticmaterialusedcarriesUnderwritersLaboratory Classifications94V-0 ✧Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ✧Lowpowerloss,highefficiency ✧Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop ✧Highsurg	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
MBRF835CT	文件：114.54 Kbytes Page：2 Pages	Isolation8.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
MBRF835CT	文件：109.88 Kbytes Page：2 Pages	Isolation8.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers VoltageRange30to100VoltsCurrent8.0Amperes Features ✧PlasticmaterialusedcarriesUnderwritersLaboratory Classifications94V-0 ✧Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ✧Lowpowerloss,highefficiency ✧Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop ✧Highsurg	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
MBRF835CT	文件：224.55 Kbytes Page：4 Pages	DualCommonCathodeSchottkyRectifier	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
MBRF835CT	文件：248.59 Kbytes Page：3 Pages	8.0AMPS.IsolatedSchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
MBRF835CT	文件：848.35 Kbytes Page：2 Pages	Isolation8.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBRF835CT	文件：187.95 Kbytes Page：2 Pages	8.0AMPS.IsolatedSchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
MC835	文件：665.89 Kbytes Page：9 Pages	INTEGRATEDCIRCUITS INTEGRATEDCIRCUITSFROMMOTOROLA MDTLintegratedcircuitsprovideanexcellentbalanceofspeedpowerdissipation,andnoiseimmunityforgeneralpurposedigitalapplications.Thelineincludesmanymultifunctiontypes.AdditionallogicpowerisprovidedbythewiredORcapabilityofthebasicM	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MS835	文件：88.72 Kbytes Page：3 Pages	8AmpSchottkyBarrierRectifier20to100Volts Features •LowSwitchingNoise •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •HighSurgeCurrentCapability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MS835	文件：91.1 Kbytes Page：2 Pages	8AmpSchottkyRectifier 8AmpSchottkyRectifier ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingProtection ●175°CJunctionTemperature ●HighCurrentCapability ●Vrrm30To45Volts	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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详细参数

型号：
LSM835
制造商：
Microsemi Corporation
功能描述：
8.0A, 35V, VF=0.52V - Tape and Reel
功能描述：
DIODE SCHOTTKY 8A 35V SMCG

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳诚思涵科技有限公司	LSM835JTR-13	Microsemi	16+	DO-214AB	88000	鍏ㄦ柊鍘熻鐜拌揣/浠锋牸鍙皥!	询价
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更多LSM835供应商更新时间2024-5-12 15:13:00

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