丝印：SIC1MO120G0025；Package：TO-247-4L；1200 V, 25 mOhm N-Channel SiC MOSFET

Features • Optimized for high-frequency, high-efficiency applications • Extremely low gate charge and output capacitance • Low gate resistance for high-frequency switching • Normally-off operations at all temperatures • Ultra-low on-resistance • Optimized package with separate driver source

文件：415.04 Kbytes 页数：10 Pages

Littelfuse

力特

碳化硅MOSFET

• 正温度系数\n• 175ºC最大工作结温\n• 快速且低损耗的开关，针对高频开关优化的 MOSFET\n• 反向恢复电流几乎为零的碳化硅二极管\n• 与源的专用开尔文连接\n• 低RthJC;

Littelfuse

力特

BGA

LSI

上传：深圳市福安瓯科技有限公司

SOT-23

中性

上传：深圳广友电子有限公司

TO-92

中性

上传：深圳广友电子有限公司