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LPC660IM	文件：603.86 Kbytes Page：17 Pages	Low Power CMOS Quad Operational Amplifier 文件：603.86 Kbytes 页数：17 Pages	NSC 国半	NSC
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LPC660IMSLASHNOPB.B	文件：1.026 Mbytes Page：27 Pages	丝印：LPC660IM；Package：SOIC；LPC660 Low Power CMOS Quad Operational Amplifier 1FEATURES 2• Rail-to-rail output swing • Micropower operation: (1 mW) • Specified for 100 kΩ and 5 kΩ loads • High voltage gain: 120 dB • Low input offset voltage: 3 mV • Low offset voltage drift: 1.3 μV/°C • Ultra low input bias current: 2 fA • Input common-mode includes V− • Operation r 文件：1.026 Mbytes 页数：27 Pages	TI 德州仪器	TI
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LPC660IMXSLASHNOPB.A	文件：1.026 Mbytes Page：27 Pages	丝印：LPC660IM；Package：SOIC；LPC660 Low Power CMOS Quad Operational Amplifier 1FEATURES 2• Rail-to-rail output swing • Micropower operation: (1 mW) • Specified for 100 kΩ and 5 kΩ loads • High voltage gain: 120 dB • Low input offset voltage: 3 mV • Low offset voltage drift: 1.3 μV/°C • Ultra low input bias current: 2 fA • Input common-mode includes V− • Operation r 文件：1.026 Mbytes 页数：27 Pages	TI 德州仪器	TI
LPC660IMXSLASHNOPB.B	文件：1.026 Mbytes Page：27 Pages	丝印：LPC660IM；Package：SOIC；LPC660 Low Power CMOS Quad Operational Amplifier 1FEATURES 2• Rail-to-rail output swing • Micropower operation: (1 mW) • Specified for 100 kΩ and 5 kΩ loads • High voltage gain: 120 dB • Low input offset voltage: 3 mV • Low offset voltage drift: 1.3 μV/°C • Ultra low input bias current: 2 fA • Input common-mode includes V− • Operation r 文件：1.026 Mbytes 页数：27 Pages	TI 德州仪器	TI
LPC660IM/NOPB	文件：1.32785 Mbytes Page：24 Pages	LPC660 Low Power CMOS Quad Operational Amplifier 文件：1.32785 Mbytes 页数：24 Pages	TI 德州仪器	TI
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详细参数

型号：
LPC660IM
功能描述：
运算放大器 - 运放
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

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