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LPC660IMX/NOPB	文件：1.32785 Mbytes Page：24 Pages	LPC660LowPowerCMOSQuadOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LPC660IMXSLASHNOPB	文件：1.32785 Mbytes Page：24 Pages	LPC660LowPowerCMOSQuadOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LPC660IN	文件：603.86 Kbytes Page：17 Pages	LowPowerCMOSQuadOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LR660Z	文件：390.38 Kbytes Page：12 Pages	GREENOVALLAMPLED GREENOVALLAMPLED	SEOULSeoul Semiconductor Co., Ltd. 首尔半导体首尔半导体有限公司	SEOUL
LT660Z	文件：390.38 Kbytes Page：12 Pages	GREENOVALLAMPLED GREENOVALLAMPLED	SEOULSeoul Semiconductor Co., Ltd. 首尔半导体首尔半导体有限公司	SEOUL
LTC660	文件：262 Kbytes Page：12 Pages	100mACMOSVoltageConverter	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LTC660	文件：238.17 Kbytes Page：12 Pages	100mACMOSVoltageConverter	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LU660Z	文件：390.38 Kbytes Page：12 Pages	GREENOVALLAMPLED GREENOVALLAMPLED	SEOULSeoul Semiconductor Co., Ltd. 首尔半导体首尔半导体有限公司	SEOUL
LUR660	文件：205.14 Kbytes Page：7 Pages	GlassPassivatedJunctionUltraFastRectifiers	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LW660Z	文件：390.38 Kbytes Page：12 Pages	GREENOVALLAMPLED GREENOVALLAMPLED	SEOULSeoul Semiconductor Co., Ltd. 首尔半导体首尔半导体有限公司	SEOUL

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详细参数

型号：
LPC660AIM/NOPB
功能描述：
运算放大器 - 运放 Low Power CMOS Quad Op Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

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