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LP1084IZ	文件：962.27 Kbytes Page：13 Pages	LOW DROPOUT POSITVITE ADJUSTABLE REGULATOR	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
LP1085	文件：962.27 Kbytes Page：13 Pages	LOW DROPOUT POSITVITE ADJUSTABLE REGULATOR	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
LP1085CM	文件：962.27 Kbytes Page：13 Pages	LOW DROPOUT POSITVITE ADJUSTABLE REGULATOR	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
LP1085CZ	文件：962.27 Kbytes Page：13 Pages	LOW DROPOUT POSITVITE ADJUSTABLE REGULATOR	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
LP1085IZ	文件：962.27 Kbytes Page：13 Pages	LOW DROPOUT POSITVITE ADJUSTABLE REGULATOR	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
LP124	文件：230.02 Kbytes Page：10 Pages	Micropower Quad Operational Amplifier GeneralDescription TheLP124seriesconsistsoffourindependent,highgaininternallycompensatedmicropoweroperationalamplifiers.Theseamplifiersarespeciallysuitedforoperationinbatterysystemswhilemaintaininggoodinputspecifications,andextremelylowsupplycurrentdrain.Ina	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LP124J	文件：230.02 Kbytes Page：10 Pages	Micropower Quad Operational Amplifier GeneralDescription TheLP124seriesconsistsoffourindependent,highgaininternallycompensatedmicropoweroperationalamplifiers.Theseamplifiersarespeciallysuitedforoperationinbatterysystemswhilemaintaininggoodinputspecifications,andextremelylowsupplycurrentdrain.Ina	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LP1500	文件：40.31 Kbytes Page：2 Pages	1W POWER PHEMT DESCRIPTIONANDAPPLICATIONS TheLP1500isanAluminumGalliumArsenide/IndiumGalliumArsenide(AlGaAs/InGaAs)PseudomorphicHighElectronMobilityTransistor(PHEMT),utilizinganElectron-Beamdirectwrite0.25mmby1500mmSchottkybarriergate.Therecessed“mushroom”gatestructure	FILTRONIC Filtronic Compound Semiconductors	FILTRONIC
LP1500P100	文件：48.46 Kbytes Page：3 Pages	PACKAGED 1W POWER PHEMT DESCRIPTIONANDAPPLICATIONS TheLP1500P100isapackagedAluminumGalliumArsenide/IndiumGalliumArsenide(AlGaAs/InGaAs)pseudomorphicHighElectronMobilityTransistor(pHEMT).Itutilizesa0.25mmx1500mmSchottkybarriergate,definedbyelectron-beamphotolithography.Therecessed	FILTRONIC Filtronic Compound Semiconductors	FILTRONIC
LP1500SOT223	文件：69.83 Kbytes Page：2 Pages	Low Noise, High Linearity Packaged PHEMT DESCRIPTIONANDAPPLICATIONS TheLP1500SOT223isapackagedAluminumGalliumArsenide/IndiumGalliumArsenide(AlGaAs/InGaAs) PseudomorphicHighElectronMobilityTransistor(PHEMT),utilizinganElectron-Beamdirect-write0.25µmby1500µmSchottkybarriergate.Therecessed“mushroom”g	FILTRONIC Filtronic Compound Semiconductors	FILTRONIC

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