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SDR626CT/CA	文件：61.51 Kbytes Page：2 Pages	40A35nsec300-600VCommonAnode&CommonCathodeHyperFastCentertapRectifier	SSDI SSDI	SSDI
SDR626CTC	文件：54.77 Kbytes Page：2 Pages	40A35nsec300-600VHyperFastCentertapRectifier Features: •HyperFastRecovery:35nsecMaximum3/ •HighSurgeRating •LowReverseLeakageCurrent •LowJunctionCapacitance •HermeticallySealedPackage •GoldEutecticDieAttach •UltrasonicAluminumWireBonds •CommonAnodeandDoublerVersionsAvailable •FlatLeadsfor	SSDI SSDI	SSDI
SDR626CTJ	文件：79.06 Kbytes Page：2 Pages	HYPERFASTCENTERTAPRECTIFIER	SSDI SSDI	SSDI
SDR626DRJ	文件：61.3 Kbytes Page：2 Pages	40A35nsec300-600VHyperFastCentertapRectifier FEATURES: •HyperFastRecovery:35nsecMaximum3/ •HighSurgeRating •LowReverseLeakageCurrent •LowJunctionCapacitance •IsolatedHermeticallySealedPackage •GoldEutecticDieAttachAvailable •UltrasonicAluminumWireBonds •CustomLeadFormingAvailable •TX,TXV,	SSDI SSDI	SSDI
SDR626G	文件：47.61 Kbytes Page：2 Pages	20A35nsec300-600VHyperFastRectifier	SSDI SSDI	SSDI
SIDR626DP	文件：205.39 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIDR626DP	文件：233.61 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIDR626EP	文件：177.92 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)175°CMOSFET FEATURES •TrenchFET®GenIVpowerMOSFET •VerylowRDS-Qgfigureofmerit(FOM) •TunedforthelowestRDS-QossFOM •100RgandUIStested •Topsidecoolingfeatureprovides additionalvenueforthermaltransfer •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseew	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIDR626LDP	文件：223.62 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®GenIVpowerMOSFET •VerylowRDS-Qgfigure-of-merit(FOM) •TunedforthelowestRDS-QossFOM •100RgandUIStested •Topsidecoolingfeatureprovidesadditional venueforthermaltransfer •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseew	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIDR626LEP	文件：198.49 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIR626ADP	文件：241.96 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIR626DP	文件：201.63 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIR626LDP	文件：396.85 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIS626DN	文件：613.31 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel25V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
SM626	文件：56.89 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGREGULATORPOWEROUTPUTSTAGES	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
SM626HRR	文件：56.89 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGREGULATORPOWEROUTPUTSTAGES	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
SM626R	文件：56.89 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGREGULATORPOWEROUTPUTSTAGES	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
SR626W	文件：135.7 Kbytes Page：3 Pages	ZincSilverOxideBatteries	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
SSC-HYT626	文件：519.01 Kbytes Page：11 Pages	TOPLEDDEVICE	SEOUL Seoul Semiconductor Co., Ltd.	SEOUL
SSC-MBT626	文件：513.35 Kbytes Page：11 Pages	TOPLEDDEVICE	SEOUL Seoul Semiconductor Co., Ltd.	SEOUL

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产品属性

产品编号：
LNK626DG
制造商：
Power Integrations
类别：
集成电路（IC） > AC DC 转换器，离线开关
系列：
LinkSwitch®-CV
包装：
卷带（TR）
输出隔离：
隔离
内部开关：
是
电压 - 击穿：
725V
拓扑：
反激
占空比：
54%
频率 - 开关：
100kHz
故障保护：
限流，开环，超温，短路
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽），7 引线
供应商器件封装：
SO-8C
安装类型：
表面贴装型
描述：
IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8SO

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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