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SIDR626LDP

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM) • Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM • 100 Rg and UIS tested • Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer • Material categorization: for definitions of compliance please see w

文件:223.62 Kbytes 页数:9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

SiDR626LDP

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

Vishay

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SIDR626LEP

N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

文件:198.49 Kbytes 页数:7 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

SIR626ADP

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:241.96 Kbytes 页数:9 Pages

VishayVishay Siliconix

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SIR626DP

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:201.63 Kbytes 页数:7 Pages

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技术参数

  • Package:

    PowerPAK SO-8DC

  • Ch:

    N

  • VDS (V):

    60

  • VGS (V):

    20

  • RDS(on)@4.5V (Ω):

    0.0021

  • RDS(on)@10V (Ω):

    0.0015

  • Qg @4.5V (nC):

    41

  • Qg @10V (nC):

    89

  • Qgs (nC):

    17.4

  • Qgd (nC):

    10.8

  • ID Max. (A):

    204

  • PD Max. (W):

    125

  • VGS(th) Min. (V):

    1

  • Rg Typ. (Ω):

    0.88

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY(威世)
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PowerPAKSO8DC
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更多SIDR626LDP供应商 更新时间2025-10-6 8:14:00