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LND150N8-G	文件：651.64 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Depletion-Mode DMOS FET GeneralDescription TheLND150isahighvoltageN-channeldepletionmode(normally-on)transistorutilizingSupertex’slateralDMOStechnology.ThegateisESDprotected. TheLND150isidealforhighvoltageapplicationsintheareasofnormally-onswitches,precisionconstantcurrentsources,	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
LND150N8-G	文件：3.38782 Mbytes Page：5 Pages	N- Channel Depletion Mode MOSFETS Features ⚫HalogenandAntimonyFree ⚫DepletionMode ⚫ESDimprovedCapability ⚫VDS=500V,ID=0.03A RDS(on)	ZHAOXINGWEI Zhaoxingwei Electronics ., Ltd	ZHAOXINGWEI
LND150N8-G	文件：651.64 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Depletion-Mode DMOS FET	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
LND150N8-G	文件：602.63 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Depletion-Mode DMOS FET	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
LND150N8	文件：88.25 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelDepletion-ModeMOSFET GeneralDescription TheLND150isahighvoltageN-channeldepletionmode(normally-on)transistorutilizingSupertex’slateralDMOStechnology.ThegateisESDprotected. TheLND150isidealforhighvoltageapplicationsintheareasofnormally-onswitches,precisionconstantcurrentsources,	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
PGH150N8	文件：1.28498 Mbytes Page：9 Pages	Thyristor	KSSKyocera Kinseki Corpotation 京瓷京瓷株式会社	KSS
PGH150N8	文件：955.35 Kbytes Page：4 Pages	THYRISTOR	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
PT150N8	文件：228.22 Kbytes Page：4 Pages	Diode	KSSKyocera Kinseki Corpotation 京瓷京瓷株式会社	KSS

详细参数

型号：
LND150N8-G
功能描述：
MOSFET 500V 1KOhm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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