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LND150N8-G中文资料PDF规格书

LND150N8-G
厂商型号

LND150N8-G

功能描述

N- Channel Depletion Mode MOSFETS

文件大小

3.38782 Mbytes

页面数量

5

生产厂商 Zhaoxingwei Electronics ., Ltd
企业简称

ZHAOXINGWEI兆兴威

中文名称

深圳市兆兴威电子有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-29 14:50:00

LND150N8-G规格书详情

Features

⚫ Halogen and Antimony Free

⚫ Depletion Mode

⚫ ESD improved Capability

⚫ VDS= 500V,ID= 0.03A

RDS(on)

产品属性

  • 型号:

    LND150N8-G

  • 功能描述:

    MOSFET 500V 1KOhm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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