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LN60A01EP

丝印:LN60A01E;Package:PDIP-8;600V, Triple N-Channel MOSFET with Common Gate Control

文件:238.66 Kbytes 页数:7 Pages

MPS

美国芯源

LN60A01ES

丝印:LN60A01E;Package:SOIC-8;600V, Triple N-Channel MOSFET with Common Gate Control

文件:238.66 Kbytes 页数:7 Pages

MPS

美国芯源

KSL60A01B

Schottky Barrier Diode

FEATURES * Similar to TO-247AC(TO-3P)Case * Extremely Low Forward Voltage Drop * Low Power Loss,High Efficiency * High Surge Current Capability

文件:48.03 Kbytes 页数:6 Pages

NIEC

LN60A01

600V, Triple N-Channel MOSFET with Common Gate Control

文件:238.66 Kbytes 页数:7 Pages

MPS

美国芯源

详细参数

  • 型号:

    LN60A01E

  • 功能描述:

    MOSFET 600V, 3 N-Channel FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多LN60A01E供应商 更新时间2026-3-18 17:40:00