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KSL60A01B	文件：48.03 Kbytes Page：6 Pages	Schottky Barrier Diode FEATURES * Similar to TO-247AC(TO-3P)Case * Extremely Low Forward Voltage Drop * Low Power Loss,High Efficiency * High Surge Current Capability 文件：48.03 Kbytes 页数：6 Pages	NIEC	NIEC
KSL60A01B_15	文件：97.78 Kbytes Page：1 Pages	SBD 文件：97.78 Kbytes 页数：1 Pages	NI 恩艾	NI
KSL60A01B	文件：300 bytes Page：1 Pages	SBD Type FEATURES\n* Similar to TO-247AC(TO-3P)Case\n* Extremely Low Forward Voltage Drop\n* Low Power Loss,High Efficiency\n* High Surge Current Capability * Similar to TO-247AC(TO-3P)Case\n* Extremely Low Forward Voltage Drop\n* Low Power Loss,High Efficiency\n* High Surge Current Capability ;	NIEC	NIEC
LN60A01	文件：238.66 Kbytes Page：7 Pages	600V, Triple N-Channel MOSFET with Common Gate Control 文件：238.66 Kbytes 页数：7 Pages	MPS 美国芯源	MPS
LN60A01EP	文件：238.66 Kbytes Page：7 Pages	600V, Triple N-Channel MOSFET with Common Gate Control 文件：238.66 Kbytes 页数：7 Pages	MPS 美国芯源	MPS
LN60A01ES	文件：238.66 Kbytes Page：7 Pages	600V, Triple N-Channel MOSFET with Common Gate Control 文件：238.66 Kbytes 页数：7 Pages	MPS 美国芯源	MPS

更多KSL60A01B供应商更新时间2026-1-29 10:03:00