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BR358	文件：196.15 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BR358	文件：234.93 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	SHUNYEShunye Enterprise 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
BR358	文件：27.61 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIER	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
BR358	文件：43.49 Kbytes Page：1 Pages	SINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIER SINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIER VOLTAGE：50-1000VCURRENT：35.0A FEATURES ·PlasticcasewithheatsinkforMaximumHeatDissipation ·Surgeoverloadratings-400Amperes ·Lowforwardvoltagedrop	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
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BR358L	文件：93.41 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS FEATURES ●Plasticcasewithheatsinkforheatdissipation ●Surgeoverload-240~400Amperespeak ●TheplasticpackagehasULflammabilityclassification94V-0	Good-Ark Good-Ark	Good-Ark
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BUZ358	文件：348.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=4.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUZ358	文件：68.26 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalanche-rated) •Nchannel •Enhancementmode •Avalanche-rated	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
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C358C	文件：74.77 Kbytes Page：12 Pages	LOWPOWERDUALOPERATIONALAMPLIFIERS SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC

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更多LMX358EKA供应商更新时间2024-6-18 15:19:00

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