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SST6601	文件：910.04 Kbytes Page：7 Pages	NAndP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SST6601	文件：613.8 Kbytes Page：10 Pages	N-andP-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SST6601-C	文件：826.11 Kbytes Page：7 Pages	NAndP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
STM6601	文件：1.29534 Mbytes Page：51 Pages	Smartpush-buttonon/offcontrollerwithSmartResetTMandpower-onlockout Description TheSTM6600-01devicesmonitorthestateofconnectedpush-button(s)aswellassufficientsupplyvoltage.AnenableoutputcontrolspowerfortheapplicationthroughtheMOSFETtransistor,DC-DCconverter,regulator,etc.Ifthesupplyvoltageisaboveaprecisevoltagethreshold,th	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STS6601	文件：168.23 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SOT-26package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STS6601	文件：454.65 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET APPLICATIONS •LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STT6601	文件：489.77 Kbytes Page：6 Pages	N&P-ChannelEnhancementModeMos.FET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
STT6601	文件：613.87 Kbytes Page：10 Pages	N-andP-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
THN6601B	文件：280.86 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiGeRFTRANSISTOR	TACHYONICS Tachyonics CO,. LTD	TACHYONICS
TPC6601	文件：158.39 Kbytes Page：5 Pages	TransistorSiliconPNPEpitaxialType	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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