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MA6001	文件：357.99 Kbytes Page：10 Pages	Dual1.5A1.5MHzSynchronousBuckConverter	MPOWERMajor-Power Technology Co., LTD. 久昌科技久昌科技股份有限公司	MPOWER
MAX6001	文件：195.94 Kbytes Page：12 Pages	Low-Cost,Low-Power,Low-Dropout,SOT23-3VoltageReferences GeneralDescription TheMAX6001–MAX6005familyofSOT23,low-costseriesvoltagereferencesmeetsthecostadvantageofshuntreferencesandoffersthepower-savingadvantageofseriesreferences,whichtraditionallycostmore.Unlikeconventionalshunt-mode(two-terminal)referencesthatmustbe	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX6001EUR-T	文件：195.94 Kbytes Page：12 Pages	Low-Cost,Low-Power,Low-Dropout,SOT23-3VoltageReferences GeneralDescription TheMAX6001–MAX6005familyofSOT23,low-costseriesvoltagereferencesmeetsthecostadvantageofshuntreferencesandoffersthepower-savingadvantageofseriesreferences,whichtraditionallycostmore.Unlikeconventionalshunt-mode(two-terminal)referencesthatmustbe	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MBI6001	文件：197.1 Kbytes Page：6 Pages	TRANSFORMERLESSAC/DCCONSTANTCURRENTDRIVER	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
MCH6001	文件：256.86 Kbytes Page：4 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconCompositeTransistorHighFrequencyLow-NoiseAmplifier NPNEpitaxialPlanarSiliconCompositeTransistor Features •Low-noiseuse:NF=1.2dBtyp(f=1GHz). •Highcut-offfrequency:fT=16GHztyp(VCE=5V). •Highgain:\|S21e\|2=16dBtyp(f=1GHz). •Compositetypewith2RFtransistorMCH4020inonepackagefacilitatinghigh-densitymounting.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MCH6001	文件：492.82 Kbytes Page：6 Pages	RFTransistor8V,150mA,fT=16GHzNPNDualMCPH6 RFTransistor 8V,150mA,fT=16GHzNPNDualMCPH6 Features •Low-noiseuse:NF=1.2dBtyp(f=1GHz) •Highcut-offfrequency:fT=16GHztyp(VCE=5V) •Highgain:\|S21e\|2=16dBtyp(f=1GHz) •Compositetypewith2RFtransistorMCH4020inonepackagefacilitatinghigh-densitymounting	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MCH6001-TL-E	文件：492.82 Kbytes Page：6 Pages	RFTransistor8V,150mA,fT=16GHzNPNDualMCPH6 RFTransistor 8V,150mA,fT=16GHzNPNDualMCPH6 Features •Low-noiseuse:NF=1.2dBtyp(f=1GHz) •Highcut-offfrequency:fT=16GHztyp(VCE=5V) •Highgain:\|S21e\|2=16dBtyp(f=1GHz) •Compositetypewith2RFtransistorMCH4020inonepackagefacilitatinghigh-densitymounting	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MCP6001	文件：553.83 Kbytes Page：24 Pages	1MHzBandwidthLowPowerOpAmp Description TheMicrochipTechnologyInc.MCP6001/2/4familyofoperationalamplifiers(opamps)isspecificallydesignedforgeneral-purposeapplications.Thisfamilyhasa1MHzGainBandwidthProduct(GBWP)and90°phasemargin(typ.).Italsomaintains45°phasemargin(typ.)witha500pFca	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MCP6001	文件：470.74 Kbytes Page：28 Pages	1MHz,Low-PowerOpAmp	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MCP6001E	文件：553.83 Kbytes Page：24 Pages	1MHzBandwidthLowPowerOpAmp Description TheMicrochipTechnologyInc.MCP6001/2/4familyofoperationalamplifiers(opamps)isspecificallydesignedforgeneral-purposeapplications.Thisfamilyhasa1MHzGainBandwidthProduct(GBWP)and90°phasemargin(typ.).Italsomaintains45°phasemargin(typ.)witha500pFca	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip

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详细参数

型号：
LMC6001BIN/NOPB
功能描述：
运算放大器 - 运放 Ultra Ultra-Low Input Current Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	LMC6001BIN/NOPB	TI(德州仪器)	24+	PDIP-8	7821	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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